[发明专利]一种缓坡状晶圆制备方法在审
| 申请号： | 202111413453.3 | 申请日： | 2021-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN114300407A | 公开（公告）日： | 2022-04-08 |
| 发明（设计）人： | 严立巍;符德荣;李景贤 | 申请（专利权）人： | 绍兴同芯成集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;H01L21/78;B23K26/38 |
| 代理公司： | 工业和信息化部电子专利中心 11010 | 代理人： | 华枫 |
| 地址： | 312000 浙江省绍兴*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提出了一种缓坡状晶圆制备方法，包括：S100，将缓坡状晶圆放置于第一载板的凹槽中，使缓坡状晶圆的背面朝上，完成晶圆背面离子注入及高温回火工艺后，在所述缓坡状晶圆的背面制备金属层；S200，在所述缓坡状晶圆背面制备第一聚亚酰胺层，使所述缓坡状晶圆背面达到预设平整度；S300，翻转所述第一载板，将所述缓坡状晶圆转移至第二载板，使所述缓坡状晶圆的正面朝上；S400，在所述缓坡状晶圆的正面完成晶圆正面金属器件和第二聚亚酰胺层的制备，所述第二聚亚酰胺的镂空区域对应切割道位置；S500，对照所述切割道位置，进行所述缓坡状晶圆的切割。根据本发明提供的缓坡状晶圆制备方法，提高了对缓坡状晶圆进行加工的稳定性和良品率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 缓坡 状晶圆 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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