[发明专利]一种缓坡状晶圆制备方法

说明书

本发明提出了一种缓坡状晶圆制备方法，包括：S100，将缓坡状晶圆放置于第一载板的凹槽中，使缓坡状晶圆的背面朝上，完成晶圆背面离子注入及高温回火工艺后，在所述缓坡状晶圆的背面制备金属层；S200，在所述缓坡状晶圆背面制备第一聚亚酰胺层，使所述缓坡状晶圆背面达到预设平整度；S300，翻转所述第一载板，将所述缓坡状晶圆转移至第二载板，使所述缓坡状晶圆的正面朝上；S400，在所述缓坡状晶圆的正面完成晶圆正面金属器件和第二聚亚酰胺层的制备，所述第二聚亚酰胺的镂空区域对应切割道位置；S500，对照所述切割道位置，进行所述缓坡状晶圆的切割。根据本发明提供的缓坡状晶圆制备方法，提高了对缓坡状晶圆进行加工的稳定性和良品率。

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种缓坡状晶圆制备方法。

背景技术

在半导体元件生产过程中，在晶圆生产过程的某些工艺中，需要将晶圆进行研磨，从而减薄晶圆的厚度以满足后续工艺的要求，而常用的工艺例如太鼓(TAIKO)减薄工艺会在晶圆研磨的一侧形成缓坡状的边缘，并且晶圆处于中心较薄，缓坡状边缘较厚的状态。

在对上述减薄工艺制得的缓坡状晶圆进行后续的工艺时，无法对减薄的研磨面的相对面进行加工时，因为需要将带有缓坡状边缘的一面翻转向下，此时由于晶圆缓坡状边缘的存在，晶圆中心的位置会处于悬空的状态，再加上晶圆已经经过减薄工艺使其厚度大大减少，所以晶圆中心悬空的部位发生破裂的概率大大增加，进而导致晶圆的良品率下降。

另外，在对例如太鼓(TAIKO)减薄工艺制备的晶圆进行加工时，在切割晶圆缓坡状边缘时，也会出现由于晶圆在边缘的厚度及中心厚度不均匀导致的应力集中产生的晶圆破裂和切除的缓坡状边缘与中心的晶圆发生碰撞导致的破裂等问题。

发明内容

本发明要解决的技术问题是如何提高在对缓坡状晶圆不具有缓坡状边缘一面加工时的缓坡状晶圆的强度、提高在对缓坡状晶圆的平整度和加工时的稳定度和有效解决晶圆的缓坡状边缘切割不便的问题，提供一种缓坡状晶圆制备方法。

根据本发明提供的缓坡状晶圆制备方法，包括：

S100，将缓坡状晶圆放置于第一载板的凹槽中，使缓坡状晶圆的背面朝上，完成晶圆背面离子注入及高温回火工艺后，在所述缓坡状晶圆的背面制备金属层；

S200，在所述缓坡状晶圆背面制备第一聚亚酰胺层，使所述缓坡状晶圆背面达到预设平整度；

S300，翻转所述第一载板，将所述缓坡状晶圆转移至第二载板，使所述缓坡状晶圆的正面朝上；

S400，在所述缓坡状晶圆的正面完成晶圆正面金属器件和第二聚亚酰胺层的制备，所述第二聚亚酰胺的镂空区域对应切割道位置；

S500，对照所述切割道位置，进行所述缓坡状晶圆的切割。

根据本发明提供的缓坡状晶圆制备方法，通过在缓坡状晶圆的背面预先制备第一聚亚酰胺层，提高了将缓坡状晶圆翻转之后背面的平整度，也避免了翻转之后缓坡状晶圆的中心悬空的问题，降低了由于缓坡状晶圆中心强度较低导致的晶圆破碎或破裂的概率，并且使得缓坡状晶圆的背面满足工艺要求的平整度，提高了对缓坡状晶圆进行加工时晶圆的稳定性。

根据本发明的一些实施例，所述S100中，注入的离子包括：硼离子、磷离子和氢离子，激活离子的所述预设温度范围为600～1000℃。

在本发明的一些实施例中，所述S400中，在所述缓坡状晶圆正面的金属器件制备工艺包括：

S410，对所述缓坡状晶圆正面制备预设排布的金属块；

S420，在所述缓坡状晶圆的正面制备第二聚亚酰胺层；

S430，在所述金属块上无电极化镀Ni、Pd、Au。

根据本发明的一些实施例，所述S500包括：