[发明专利]一种缓坡状晶圆制备方法

权利要求书

1.一种缓坡状晶圆制备方法，其特征在于，包括：

S100，将缓坡状晶圆放置于第一载板的凹槽中，使缓坡状晶圆的背面朝上，完成晶圆背面离子注入及高温回火工艺后，在所述缓坡状晶圆的背面制备金属层；

S200，在所述缓坡状晶圆背面制备第一聚亚酰胺层，使所述缓坡状晶圆背面达到预设平整度；

S300，翻转所述第一载板，将所述缓坡状晶圆转移至第二载板，使所述缓坡状晶圆的正面朝上；

S400，在所述缓坡状晶圆的正面完成晶圆正面金属器件和第二聚亚酰胺层的制备，所述第二聚亚酰胺层的镂空区域对应切割道位置；

S500，对照所述切割道位置，进行所述缓坡状晶圆的切割。

2.根据权利要求1所述的缓坡状晶圆制备方法，其特征在于，所述S100中，注入的离子包括：硼离子、磷离子和氢离子，激活离子的所述预设温度范围为600℃～1000℃。

3.根据权利要求1所述的缓坡状晶圆制备方法，其特征在于，所述S400中，在所述缓坡状晶圆正面的金属器件和第二聚亚酰胺层的制备工艺包括：

S410，对所述缓坡状晶圆正面制备预设排布的金属块；

S420，在所述缓坡状晶圆的正面制备第二聚亚酰胺层；

S430，在所述金属块上无电极化镀Ni、Pd、Au。

4.根据权利要求1所述的缓坡状晶圆制备方法，其特征在于，所述S500包括：

S510，利用选择比，采用等离子切割工艺，切割所述缓坡状晶圆；S520，利用激光切割工艺切断所述缓坡状晶圆背面金属层；

S530，切断所述缓坡状晶圆背面第一聚亚酰胺层。

5.根据权利要求1所述的缓坡状晶圆制备方法，其特征在于，所述方法还包括：

S600，将切割后的所述缓坡状晶圆的正面贴附至第一切割模框；

S700，去除所述缓坡状晶圆背面的第一聚亚酰胺层。

6.根据权利要求5所述的缓坡状晶圆制备方法，其特征在于，所述方法还包括：

S800，将去除所述第一聚亚酰胺层的所述缓坡状晶圆的背面贴附至第二切割模框；

S900，移除所述第一切割模框。

7.根据权利要求6所述的缓坡状晶圆制备方法，其特征在于，所述S900中，采用UV光照照射所述第一切割模框预设时长后，移除所述第一切割模框。

8.根据权利要求1所述的缓坡状晶圆制备方法，其特征在于，所述第一载板和所述第二载板均为玻璃载板。

9.根据权利要求1所述的缓坡状晶圆制备方法，其特征在于，所述缓坡状晶圆的厚度范围为：50um～200um。

10.根据权利要求1-9中任一项所述的缓坡状晶圆制备方法，其特征在于，所述缓坡状晶圆的尺寸范围为6寸至12寸。