[发明专利]超结沟槽栅MOSFET器件及其制造方法在审
| 申请号： | 202111412104.X | 申请日： | 2021-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN114068678A | 公开（公告）日： | 2022-02-18 |
| 发明（设计）人： | 许昭昭 | 申请（专利权）人： | 华虹半导体（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/423;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 刘昌荣 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本申请公开了超结沟槽栅MOSFET制造方法，包括：在半导体衬底内形成第一漂移区，在第一漂移区上形成第二漂移区；在第二漂移区上形成沟槽，在所述沟槽内依次沉积沟槽介质层和沟槽多晶硅层，在半导体衬底表面形成第二导电类型体区；对第二导电类型体区进行第一导电类型重掺杂注入形成第一重掺杂区，选择性注入形成第二导电类型注入区；对第一重掺杂区进行刻蚀形成接触孔，进行第二导电类型重掺杂注入并热扩散形成第二重掺杂区，同时激活第二导电类型注入区杂质。在超结沟槽栅MOSFET制造方法中，第一导电类型的第一漂移区由于掺杂浓度小，无需第二导电类型注入区也能耗尽，因此可以降低第二导电类型注入区的注入能量，从而降低了工艺难度。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 mosfet 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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