[发明专利]半导体器件及其制备方法在审
| 申请号： | 202111408155.5 | 申请日： | 2021-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN114267717A | 公开（公告）日： | 2022-04-01 |
| 发明（设计）人： | 魏国栋;李杰;李佳玲 | 申请（专利权）人： | 深圳深爱半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 赖远龙 |
| 地址： | 518116 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体器件及其制备方法，通过在漂移区的第一表层设置具有第一端和第二端的电阻结构，并设置至少两个与各体区一一对应的栅源结构，栅源结构的栅极区覆盖体区形成的沟道并延伸覆盖至体区，相邻两个栅源结构包括第一栅源结构和第二栅源结构，第一栅源结构的栅极区与第一端连接，第一栅源结构的漏极区与第二端与电连接，相当于在第一栅源结构的栅极区和漏极区之间并联了一个电阻，并在第一栅源结构所形成的场效应管中并联了第二栅源结构所形成的场效应管，如此当半导体器件应用于半导体芯片时，则无需在半导体芯片内额外集成电阻和场效应管，便于调整电阻阻值，且能够降低半导体芯片的制造成本。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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