[发明专利]半导体器件及其制备方法

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于，包括：

漂移区，具有第一导电类型；

电阻结构，设置在所述漂移区的第一表层，所述电阻结构包括相对的第一端和第二端；

多个相隔设置的体区，分别位于所述漂移区的第一表层且形成有沟道，所述体区具有第二导电类型，所述第二导电类型与所述第一导电类型相反；

至少两个栅源结构，分别与各所述体区一一对应设置，所述栅源结构包括相邻设置的栅极区和源极区，所述源极区设置在所述体区远离所述漂移区的表面，所述栅极区覆盖所述沟道并延伸覆盖至所述体区；相邻两个栅源结构包括第一栅源结构和第二栅源结构，所述第一栅源结构的所述栅极区与所述第一端电连接；

漏极区，位于所述漂移区的第二表层，与所述第二端电连接，所述第二表层与所述第一表层相对设置。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件还包括第三栅源结构，所述第三栅源结构的所述栅极区与所述第二栅源结构的所述栅极区电连接。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件还包括：

至少一个隔离层，位于所述漂移区的第一表层且分别设置在各所述栅源结构之间。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件还包括：

至少一个隔离结构，设置在所述漂移区的第一表层并位于各所述体区之间，且与所述体区间隔设置。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述电阻结构包括：

第一氧化层，位于所述漂移区的第一表层；

多晶硅条，位于所述第一氧化层远离所述漂移区的表面，所述多晶硅条的延伸方向上设置有第一接点和第二接点，其中，所述第一接点作为所述第一端，所述第二接点作为所述第二端。

6.根据权利要求5所述的半导体器件，其特征在于，所述多晶硅条包括多条呈阵列排布的晶条，各所述晶条之间串联连接或并联连接，其中所述晶条宽度范围为1um至4um，相邻两个所述晶条的间距范围为1um至3um。

7.根据权利要求5所述的半导体器件，其特征在于，所述第二接点位于所述多晶硅条的端部，所述电阻结构还包括：

绝缘层，覆盖所述第一氧化层和所述多晶硅条，且外露所述第二接点。

8.根据权利要求7所述的半导体器件，其特征在于，所述电阻结构还包括：

导电层，覆盖所述第二接点，且与所述漏极区电连接。

9.根据权利要求7所述的半导体器件，其特征在于，所述源极区与所述绝缘层相邻设置或所述绝缘层至少部分内嵌于所述源极区。

10.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述电阻结构设置在所述半导体器件的边缘区域且至少部分覆盖所述体区，所述电阻结构与所述体区绝缘。

11.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述体区包括：

掺杂阱，位于所述漂移区的第一表层且具有第二导电类型；

结终端延伸区，位于所述漂移区的第一表层且与所述掺杂阱交叠设置。