[发明专利]一种半导体结构的制备方法、半导体结构和半导体存储器在审
| 申请号： | 202111403797.6 | 申请日： | 2021-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN116169091A | 公开（公告）日： | 2023-05-26 |
| 发明（设计）人： | 于业笑;刘忠明;陈龙阳;白世杰 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H10B12/00 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 张竞存;张颖玲 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请提供了一种半导体结构的制备方法、半导体结构和半导体存储器，所述方法包括：提供衬底；衬底内包括有源区；在衬底上形成沿第一方向延伸的第一介质墙和第二介质墙；第一介质墙和第二介质墙交替分布；刻蚀第一介质墙和第二介质墙，形成沿第二方向延伸的沟槽；其中，沟槽间隔设置；在沟槽内，剩余的第一介质墙的高度大于剩余的第二介质墙的高度；刻蚀沟槽内剩余的第二介质墙，在沟槽内形成间隔设置的第一接触孔；第一接触孔暴露有源区。本申请能够以较少的光罩次数形成新颖的半导体结构，以进行金属布线。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 结构 制备 方法 存储器 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
