[发明专利]一种半导体结构的制备方法、半导体结构和半导体存储器

权利要求书

1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，所述方法包括：

提供衬底；所述衬底内包括有源区；

在所述衬底上形成沿第一方向延伸的第一介质墙和第二介质墙；所述第一介质墙和所述第二介质墙交替分布；

刻蚀所述第一介质墙和所述第二介质墙，形成沿第二方向延伸的沟槽；其中，所述沟槽间隔设置；在所述沟槽内，剩余的所述第一介质墙的高度大于剩余的所述第二介质墙的高度；

刻蚀所述沟槽内剩余的所述第二介质墙，在所述沟槽内形成间隔设置的第一接触孔；所述第一接触孔暴露所述有源区。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述刻蚀所述沟槽内剩余的所述第二介质墙，在所述沟槽内形成间隔设置的接触孔之后，所述方法还包括：

在所述沟槽内形成第一导电层；所述第一导电层填充所述第一接触孔，且填充至少部分所述沟槽；

刻蚀所述沟槽外剩余的所述第二介质墙，形成第二接触孔；所述第二接触孔暴露所述有源区；

在所述第二接触孔内形成第二导电层。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述刻蚀所述第一介质墙和所述第二介质墙，形成沿第二方向延伸的沟槽，包括：

在所述第一介质墙和所述第二介质墙上，依次沉积第一阻挡层和第二阻挡层；

刻蚀所述第二阻挡层，形成沿所述第二方向延伸的心轴；所述心轴间隔设置；

覆盖所述心轴的侧面形成侧墙；

以所述侧墙为掩膜进行刻蚀，去除所述第一阻挡层，将所述第一介质墙和所述第二介质墙刻蚀形成所述沟槽。

4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述刻蚀所述第二阻挡层，形成沿所述第二方向延伸的心轴，包括：

在所述第二阻挡层上形成第一掩膜；所述第一掩膜包括沿所述第二方向延伸的第一刻蚀图形；

沿所述第一刻蚀图形刻蚀所述第二阻挡层，形成沿所述第二方向延伸的所述心轴。

5.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述覆盖所述心轴侧面形成侧墙，包括：

沉积硬掩膜层；所述硬掩膜层覆盖所述第一阻挡层及所述心轴；

对所述硬掩膜层进行回刻，去除所述硬掩膜层的顶部直到暴露所述心轴，保留所述硬掩膜层的侧部作为所述侧墙。

6.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述以所述侧墙为掩膜进行刻蚀，去除所述第一阻挡层，将所述第一介质墙和所述第二介质墙刻蚀形成所述沟槽，包括：

去除所述侧墙中间的所述心轴；

以所述侧墙为掩膜，刻蚀所述第一阻挡层，形成第一中间结构；

以所述第一中间结构为掩膜，按照刻蚀速率比刻蚀所述第一介质墙和所述第二介质墙，形成所述沟槽。

7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，

所述刻蚀速率比包括：所述第一介质墙的材料与所述第二介质墙的材料的刻蚀速率之比为1:4。

8.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述刻蚀所述沟槽内剩余的所述第二介质墙，在所述沟槽内形成间隔设置的第一接触孔，包括：

在所述沟槽上沉积第三阻挡层；

在所述第三阻挡层上形成第二掩膜；所述第二掩膜包括间隔设置的第二刻蚀图形；

沿所述第二刻蚀图形进行刻蚀，去除所述第三阻挡层，将所述沟槽内剩余的所述第二介质墙刻蚀形成间隔设置的所述第一接触孔。

9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述沿所述第二刻蚀图形进行刻蚀，去除所述第三阻挡层，将所述沟槽内剩余的所述第二介质墙刻蚀形成间隔设置的所述第一接触孔，包括：

沿所述第二刻蚀图形刻蚀所述第三阻挡层，形成第二中间结构；

以所述第二中间结构为掩膜，刻蚀所述沟槽内剩余的所述第二介质墙，形成间隔设置的所述第一接触孔。