[发明专利]PIP电容器在审
| 申请号： | 202111397143.7 | 申请日： | 2021-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN114068726A | 公开（公告）日： | 2022-02-18 |
| 发明（设计）人： | 王帆;钟朝枫;于鹏;方明海;周玲;刘棋;吴龙;陈畅 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/788 | 分类号： | H01L29/788;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 田婷 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种PIP电容器，包括：衬底；栅极结构，包括自下向上形成于所述衬底上的隧穿氧化层、浮栅层、栅间介质层和控制栅层，所述浮栅层、所述栅间介质层和所述控制栅层构成栅间介质层电容，所述浮栅层、所述隧穿氧化层和所述衬底构成隧穿氧化层电容；耗尽层，在工作状态下形成于所述隧穿氧化层下方的衬底顶部，所述浮栅层、所述隧穿氧化层、所述耗尽层和所述衬底构成耗尽层电容，所述耗尽层电容与所述隧穿氧化层电容串联之后与所述栅间介质层电容并联。本发明的技术方案使得PIP电容器具有高容值效率的同时，还能具有高击穿电压。 | ||
| 搜索关键词： | pip 电容器 | ||
【主权项】：
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