[发明专利]PIP电容器

权利要求书

1.一种PIP电容器，其特征在于，包括：

衬底；

栅极结构，包括自下向上形成于所述衬底上的隧穿氧化层、浮栅层、栅间介质层和控制栅层，所述浮栅层、所述栅间介质层和所述控制栅层构成栅间介质层电容，所述浮栅层、所述隧穿氧化层和所述衬底构成隧穿氧化层电容；

耗尽层，在工作状态下形成于所述隧穿氧化层下方的衬底中，所述浮栅层、所述隧穿氧化层、所述耗尽层和所述衬底构成耗尽层电容，所述耗尽层电容与所述隧穿氧化层电容串联之后与所述栅间介质层电容并联。

2.如权利要求1所述的PIP电容器，其特征在于，所述衬底中形成有体区，所述体区包围所述耗尽层；所述栅极结构两侧的体区顶部形成有体接触区，所述体接触区的衬底上形成有第一导电插塞。

3.如权利要求2所述的PIP电容器，其特征在于，所述栅极结构中形成有贯穿所述控制栅层和所述栅间介质层的凹槽，所述凹槽中形成有与所述浮栅层电连接的第二导电插塞，所述控制栅层上形成有第三导电插塞。

4.如权利要求3所述的PIP电容器，其特征在于，所述栅极结构两侧的体区中未形成有源极区和漏极区；或者，所述栅极结构两侧的体区中形成有源极区和漏极区，所述源极区和所述漏极区分别位于所述栅极结构和所述体接触区之间，所述源极区和所述漏极区与所述体区的导电类型相同或不同。

5.如权利要求3所述的PIP电容器，其特征在于，所述栅极结构与两侧的所述体接触区之间的衬底上分别形成有第四导电插塞和第五导电插塞。

6.如权利要求5所述的PIP电容器，其特征在于，所述栅极结构两侧的体区中未形成有源极区和漏极区；或者，所述栅极结构两侧的体区中形成有源极区和漏极区，所述第四导电插塞位于所述源极区上，所述第五导电插塞位于所述漏极区上，所述源极区和所述漏极区与所述体区的导电类型相同。

7.如权利要求4或6所述的PIP电容器，其特征在于，所述源极区和所述体接触区之间以及所述漏极区与所述体接触区之间的体区中形成有浅沟槽隔离结构。

8.如权利要求4或6所述的PIP电容器，其特征在于，所述源极区远离所述体接触区的一侧形成有轻掺杂源区，所述漏极区远离所述体接触区的一侧形成有轻掺杂漏区，所述轻掺杂源区和所述轻掺杂漏区与所述源极区的导电类型相同。

9.如权利要求8所述的PIP电容器，其特征在于，所述轻掺杂源区和所述轻掺杂漏区的底表面高于所述源极区和所述漏极区的底表面。

10.如权利要求3所述的PIP电容器，其特征在于，所述第二导电插塞连接电源，所述第一导电插塞和所述第三导电插塞接地。

11.如权利要求5所述的PIP电容器，其特征在于，所述第二导电插塞连接电源，所述第一导电插塞、所述第三导电插塞、所述第四导电插塞和所述第五导电插塞接地。

12.一种PIP电容器，其特征在于，包括：

衬底，所述衬底中形成有体区；

栅极结构，包括自下向上形成于所述衬底上的隧穿氧化层、浮栅层、栅间介质层和控制栅层，所述浮栅层作为所述PIP电容器的第一电极，所述体区和所述控制栅层作为所述PIP电容器的第二电极；且在工作状态下，所述隧穿氧化层下方的体区中形成有耗尽层。

13.如权利要求12所述的PIP电容器，其特征在于，所述栅极结构两侧的体区中未形成有源极区和漏极区；或者，所述栅极结构两侧的体区中形成有源极区和漏极区。

14.如权利要求13所述的PIP电容器，其特征在于，所述源极区和所述漏极区与所述体区的导电类型相同，所述源极区和所述漏极区还作为所述第二电极。