[发明专利]一种基于RRAM阵列构成的二进制神经网络中并行乘累加运算的电路在审
申请号: | 202111395976.X | 申请日: | 2021-11-23 |
公开(公告)号: | CN114254743A | 公开(公告)日: | 2022-03-29 |
发明(设计)人: | 蔺智挺;朱陈宇;吴秀龙;朱志国;彭春雨;卢文娟;赵强;陈军宁 | 申请(专利权)人: | 安徽大学;合肥市微电子研究院有限公司 |
主分类号: | G06N3/063 | 分类号: | G06N3/063 |
代理公司: | 北京凯特来知识产权代理有限公司 11260 | 代理人: | 郑立明;陈亮 |
地址: | 230601 安徽*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | 本发明公开了一种基于RRAM阵列构成的二进制神经网络中并行乘累加运算的电路,基于1T1R单元构成的存储阵列是采用伪交叉结构的64x64的RRAM阵列,每个1T1R单元由一个NMOSFET和一个阻变随机存取存储器构成;存储阵列每一行的字线WL均连接并行输入电路,实现最大8X8权重矩阵中的64个数据与存储阵列中存储的64个数据完成二进制神经网络BNN卷积运算;存储阵列每一列的位线BL均连接级联型电流镜电路的电流输入端,且级联型电流镜电路的输出端连接到输出电容的上极板上。该电路避免了传统SRAM中存储单元在多行读取时不同节点间的串扰和存储数据易破坏问题,提高了系统的可靠性,降低了单元之间的泄露功耗。 | ||
搜索关键词: | 一种 基于 rram 阵列 构成 二进制 神经网络 并行 累加 运算 电路 | ||
【主权项】:
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