[发明专利]一种高剩磁比、低孔隙率六角铁氧体厚膜及其制备方法与应用有效

专利信息
申请号: 202111395507.8 申请日: 2021-11-23
公开(公告)号: CN113990658B 公开(公告)日: 2023-01-06
发明(设计)人: 汤如俊;彭峰 申请(专利权)人: 苏州大学
主分类号: H01F41/16 分类号: H01F41/16;H01F41/22;H01F41/14;H01F13/00;H01F10/20;H01P1/38
代理公司: 苏州市中南伟业知识产权代理事务所(普通合伙) 32257 代理人: 杨慧林
地址: 215000 江苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种高剩磁比、低孔隙率六角铁氧体厚膜及其制备方法与应用,所述制备方法包括以下步骤:(1)将BaM粉末与有机载体混合、研磨,得到混合均匀的浆料;(2)将浆料通过丝网印刷法涂抹到Al2O3基片上,形成厚膜;(3)将上述厚膜与基片放置磁场中,进行加热充磁、排胶;(4)对充磁后的厚膜进行加压烧结,得到所述六角铁氧体厚膜。本发明通过优化有机载体、控制BaM粉末粒径、改进制膜工艺,制备得到高剩磁比、低孔隙率、高密度、高饱和磁化强度的六角铁氧体厚膜,可应用于自偏置环形器,且上述制备方法可实现低成本、大规模制备BaM厚膜,满足产业化需求。
搜索关键词: 一种 剩磁 孔隙率 六角 铁氧体 及其 制备 方法 应用
【主权项】:
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