[发明专利]一种p基硅背接触太阳能电池及其制备方法

摘要

本申请的一种p基硅背接触太阳能电池及其制备方法，该太阳能电池包括：p型硅片、p+型扩散层、隧穿层、p+型区域、第三钝化层、n+型多晶硅层、第二钝化层，以及位于第二钝化层背面的点状第一金属浆料，覆盖同一横向或竖向上的点状第一金属浆料的第二金属浆料；位于第三钝化层背面且在相邻的横向或纵向的点状第一金属浆料之间的阵列点状第三金属浆料，覆盖在点状第三金属浆料和绝缘胶层上的第四金属浆料；或者在点状第一金属浆料和第三金属浆料的位置，激光消融钝化层形成贯穿钝化层的开孔，分别采用第六金属浆料和第五金属浆料填充。本申请能解决现有p基硅背接触电池短路电流密度低、填充因子低以及开路电压低和金属化成本高的问题。