[发明专利]一种p基硅背接触太阳能电池及其制备方法

权利要求书

1.一种p基硅背接触太阳能电池， 包括：p型硅片；位于p型硅片正面的p+型扩散层及一层或多层第一钝化层；所述p+型扩散层是在所述p型硅片正面掺杂B制成的；其特征在于，还包括：

位于p型硅片背面的隧穿层，所述隧穿层为氧化硅；

位于隧穿层背面的p+型区域，所述p+型区域呈点状且阵列分布；

覆盖在每个p+型区域背面的一层或多层第三钝化层；

位于所述隧穿层背面的n+型多晶硅层，所述n+型多晶硅层处于p+型区域与所述第三钝化层以外的区域；

覆盖在n+型多晶硅层上的一层或多层第二钝化层；

位于第二钝化层背面的绝缘胶层，且所述绝缘胶层处于横向或纵向相邻的两个点状的所述p+型区域和所述第三钝化层之间；

位于第二钝化层背面的阵列点状第一金属浆料，覆盖在同一横向或竖向的所述点状第一金属浆料上的第二金属浆料；或贯穿所述第二钝化层具有点状孔，且在所述点状孔内设置点状第六金属浆料，覆盖同一横向或竖向所述点状第六金属浆料上的第二金属浆料；所述第二金属浆料作为负极栅线，第一金属浆料为烧穿型银浆料；所述第二金属浆料为锡、铜和银的混合膏体浆料，所述第六金属浆料为非烧穿型银浆；

位于第三钝化层背面且在相邻的横向或纵向的所述点状第一金属浆料之间的阵列点状第三金属浆料，处于负极栅线平行方向上且覆盖在所述点状第三金属浆料和所述绝缘胶层上的第四金属浆料，或贯穿所述第三钝化层且位于相邻的横向或纵向的所述点状第一金属浆料之间的阵列点状孔，并在所述阵列点状孔中设置有点状第五金属浆料，处于所述负极栅线平行方向上且在所述点状第五金属浆料和所述绝缘胶层上的第四金属浆料；所述第四金属浆料作为正极栅线，所述第三金属浆料为烧穿型银铝或银硼浆料，第四金属浆料为锡、铜和银的混合膏体浆料，所述第五金属浆料为非烧穿型银铝浆料或者银硼浆料。

2.根据权利要求1所述的p基硅背接触太阳能电池，其特征在于，

贯穿所述第二钝化层具有点状激光孔，所述点状激光孔内设置点状第六金属浆料，且所述第六金属浆料与所述n+型多晶硅层直接接触；覆盖同一横向或竖向上的所述点状第六金属浆料上的第二金属浆料；

所述点状激光孔为采用激光消融去除第二钝化层而得；

贯穿所述第三钝化层且位于相邻的横向或纵向的所述点状第一金属浆料之间的阵列点状激光孔，所述阵列点状激光孔中设置有点状第五金属浆料，且所述第五金属浆料与所述p型硅片直接接触；所述第五金属浆料和p型硅片基体经高温烧结在第五金属浆料和p型硅片的界面形成p+层；所述点状第五金属浆料的几何中心与所述阵列点状激光孔的几何中心对齐，且所述阵列点状激光孔的面积小于所述p+型区域；

所述阵列点状激光孔采用皮秒或纳秒激光消融去除第三钝化层而得。

3.根据权利要求1所述的p基硅背接触太阳能电池，其特征在于，所述绝缘胶层的宽度为20-200微米，厚度为5-50微米，间断设置的所述绝缘胶层至少覆盖到所述n+型多晶硅层的区域边缘。

4.根据权利要求1所述的p基硅背接触太阳能电池，其特征在于，所述p+型区域的点状规格可为圆形或多边形；

所述p+型区域的面积为0.03-3平方毫米。