[发明专利]一种p基硅背接触太阳能电池及其制备方法

说明书

本申请的一种p基硅背接触太阳能电池及其制备方法，该太阳能电池包括：p型硅片、p+型扩散层、隧穿层、p+型区域、第三钝化层、n+型多晶硅层、第二钝化层，以及位于第二钝化层背面的点状第一金属浆料，覆盖同一横向或竖向上的点状第一金属浆料的第二金属浆料；位于第三钝化层背面且在相邻的横向或纵向的点状第一金属浆料之间的阵列点状第三金属浆料，覆盖在点状第三金属浆料和绝缘胶层上的第四金属浆料；或者在点状第一金属浆料和第三金属浆料的位置，激光消融钝化层形成贯穿钝化层的开孔，分别采用第六金属浆料和第五金属浆料填充。本申请能解决现有p基硅背接触电池短路电流密度低、填充因子低以及开路电压低和金属化成本高的问题。

技术领域

本申请涉及太阳能电池技术领域，尤其涉及一种p基硅背接触太阳能电池及其制备方法。

背景技术

背接触太阳能电池是一种将电池正负极栅线均放置在电池背面的电池，电池的受光面无任何的金属电极遮挡，可增加光吸收，有效提高了电池的短路电流，提高了电池的能量转换效率。

现有p型太阳能背接触电池采用p型硅基底作为基地材料、电极结构为交叉等间距电极，该p型背接触电池中n型区域的占电池背面区域的50%-70%，n型区域占比过低导致短路电流密度低、填充因子低；在电池电极铺设过程中，常采用丝网印刷技术使金属栅线与硅直接接触，由于金属栅线与硅的接触界面的复合电流密度大，易造成电池的开路电压降低的问题。采用银浆作为金属栅线，不仅串联电阻高，造成电池填充因子低，而且银与铜、锡单质昂贵，金属化成本持续走高等问题。

发明内容

本申请提供了一种p基硅背接触太阳能电池及其制备方法，以解决现有p基硅背接触电池短路电流密度低、填充因子低以及电压开路电压低和金属化成本高的问题。

本申请采用的技术方案如下：

第一方面，本发明提供了一种p基硅背接触太阳能电池，包括：p型硅片；位于p型硅片正面的p+型扩散层及一层或多层第一钝化层；所述p+型扩散层是在所述p型硅片正面掺杂B制成的；还包括：

位于p型硅片背面的隧穿层，所述隧穿层为氧化硅；

位于隧穿层背面的p+型区域，所述p+型区域呈点状且阵列分布；

覆盖在每个p+型区域背面的一层或多层第三钝化层；

位于隧穿层背面的n+型多晶硅层，所述n+型多晶硅层处于p+型区域与所述第三钝化层以外的区域；

覆盖在n+型多晶硅层上的一层或多层第二钝化层；

位于第二钝化层背面的绝缘胶层，且所述绝缘胶层处于横向或纵向相邻的两个点状的所述p+型区域和所述第三钝化层之间；

位于第二钝化层背面的阵列点状第一金属浆料，覆盖在同一横向或竖向的所述点状第一金属浆料上的第二金属浆料；或贯穿所述第二钝化层具有点状孔，且在所述点状孔内设置点状第六金属浆料，覆盖同一横向或竖向所述点状第六金属浆料上的第二金属浆料；所述第二金属浆料作为负极栅线，第一金属浆料为烧穿型银浆料；所述第二金属浆料为锡、铜和银的混合膏体浆料，所述第六金属浆料为非烧穿型银浆；

位于第三钝化层背面且在相邻的横向或纵向的所述点状第一金属浆料之间的阵列点状第三金属浆料，处于所述负极栅线平行方向上且覆盖在所述点状第三金属浆料和所述绝缘胶层上的第四金属浆料，或贯穿所述第三钝化层且位于相邻的横向或纵向的所述点状第一金属浆料之间的阵列点状孔，并在所述阵列点状孔中设置有点状第五金属浆料，处于所述负极栅线平行方向上且在所述点状第五金属浆料和所述绝缘胶层上的第四金属浆料；所述第四金属浆料作为正极栅线，所述第三金属浆料为烧穿型银铝或银硼浆料，第四金属浆料为锡、铜和银的混合膏体浆料，所述第五金属浆料为非烧穿型银铝浆料或者银硼浆料。

进一步地，贯穿所述第二钝化层具有点状激光孔，所述点状激光孔内设置点状第六金属浆料，且所述第六金属浆料与所述n+型多晶硅层直接接触；覆盖同一横向或竖向上的所述点状第六金属浆料上的第二金属浆料；

所述点状激光孔为采用激光消融去除第二钝化层而得；