[发明专利]一种芯片制造用扩散炉在审
| 申请号： | 202111382173.0 | 申请日： | 2021-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN114156203A | 公开（公告）日： | 2022-03-08 |
| 发明（设计）人： | 邹建 | 申请（专利权）人： | 邹建 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/223 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 610000 四川省成都市龙泉*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明涉及光伏设备制造技术领域，且公开了一种芯片制造用扩散炉，包括炉体，所述炉体的一侧活动连接有炉门，位于所述炉门上方的炉体内壁固定套接匀气板，且匀气板开设有散气孔，位于所述散气孔上方的匀气板内壁固定套接固定环，所述固定环的底端与限位件的一端固定连接，所述限位件的另一端与防堵块的顶端固定连接，所述炉体的侧壁活动卡接石英舟，且石英舟的顶端开设有舟槽，所述舟槽的内部底端固定连接有底框。本发明通过在石英舟和进气管之间设置匀气板，并在散气孔内部设置固定环及其部件，使得各个防堵块在受工艺气体压力后一齐下移，促使气体扩散能均匀扩散到炉体内各处与硅片均匀反应，有效提高了硅片的质量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 芯片 制造 扩散 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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