[发明专利]一种芯片制造用扩散炉

说明书

本发明涉及光伏设备制造技术领域，且公开了一种芯片制造用扩散炉，包括炉体，所述炉体的一侧活动连接有炉门，位于所述炉门上方的炉体内壁固定套接匀气板，且匀气板开设有散气孔，位于所述散气孔上方的匀气板内壁固定套接固定环，所述固定环的底端与限位件的一端固定连接，所述限位件的另一端与防堵块的顶端固定连接，所述炉体的侧壁活动卡接石英舟，且石英舟的顶端开设有舟槽，所述舟槽的内部底端固定连接有底框。本发明通过在石英舟和进气管之间设置匀气板，并在散气孔内部设置固定环及其部件，使得各个防堵块在受工艺气体压力后一齐下移，促使气体扩散能均匀扩散到炉体内各处与硅片均匀反应，有效提高了硅片的质量。

技术领域

本发明涉及光伏设备制造技术领域，具体为一种芯片制造用扩散炉。

背景技术

芯片的材质通常为硅片，为改变硅片内杂质的类型、浓度和分布，需对其进行掺杂处理，而掺杂工艺的重要设备之一为扩散炉。扩散炉的扩散工艺在其反应炉内完成，通过将硅片依序放入石英舟的舟槽中，再向扩散炉内通入工艺气体，实现扩散，并在停止通入工艺气体后，取出硅片，完成硅片掺杂。

但扩散炉在使用过程中还存在一些缺陷：首先，为防止舟槽在插拔过程中会与硅片产生摩擦损伤，舟槽的宽度要设置大于硅片的厚度，此方式使得硅片放置在石英舟内并非完全垂直、具有一定的倾斜，并随着石英舟使用次数的增加，其舟槽宽度变大，从而使得硅片倾斜，其稳定性变差，硅片质量降低，并且也导致石英舟需经常更换，投入成本增加；同时，扩散气体由进气管的端口开口进入炉体，与硅片反应后，经炉体底部的排气管的端口排出，此种结构使得进气管端口区域气体浓度大，排气管端口区域气体浓度小，致使炉体内的硅片反应速度和扩散速度不同，从而严重影响气体扩散的均匀性，致使硅片性能降低，良品率下降。

发明内容

针对背景技术中提出的现有扩散炉在使用过程中存在的不足，本发明提供了一种芯片制造用扩散炉，具备避免硅片在石英舟上过度倾斜，提高硅片的稳定性，延长石英舟的使用寿命，降低成本投入，促使工艺气体扩散均匀，提高硅片的性能的优点，解决了上述背景技术中提出的技术问题。

本发明提供如下技术方案：一种芯片制造用扩散炉，包括炉体，所述炉体的一侧活动连接有炉门，位于所述炉门上方的炉体内壁固定套接匀气板，且匀气板开设有散气孔，位于所述散气孔上方的匀气板内壁固定套接固定环，所述固定环的底端与限位件的一端固定连接，所述限位件的另一端与防堵块的顶端固定连接，所述炉体的侧壁活动卡接石英舟，且石英舟的顶端开设有舟槽，所述舟槽的内部底端固定连接有底框，所述底框的顶端固定连接有两个隔板，且隔板开设有横孔，所述底框和隔板的顶端固定套接顶膜，且顶膜的顶端与底框的顶端通过侧弹簧连接，位于所述隔板横孔上方的两个隔板侧面开设有侧槽，且隔板通过侧槽活动套接活动板，所述活动板的底端与底框的顶端之间通过下弹簧连接，位于所述舟槽两侧的石英舟顶端固定连接有侧板。

优选的，所述侧板的顶端开设有气槽，位于所述气槽一侧的侧板壁面开设有小孔，且对应小孔位置的侧板外壁固定套接圆膜，所述圆膜的表面开设有排气孔，且圆膜的内壁与侧板的内壁之间通过小弹簧连接，与所述圆膜同侧的侧板中部固定连接有固定轴，所述固定轴的外侧活动套接活动环，且活动环的外圈固定连接旋转叶，靠近所述圆膜的旋转叶侧固定连接有挤压块。

优选的，所述散气孔与舟槽数量相同，且位于一一对应，所述散气孔的形状为上方圆柱状、下方漏斗状。

优选的，所述限位件由伸缩杆和上弹簧构成，且上弹簧环绕伸缩杆。

优选的，所述气槽的顶端开口设置有单向阀，且气流方向为由侧板外部向侧板内部移动，所述气槽有六条边，且六条边环绕固定轴均匀设置，所述气槽的每一条边设有两个小孔，且每个小孔对应一个圆膜。

优选的，所述旋转叶的数量为三，且环绕固定轴均匀设置，一个所述旋转叶对应两个挤压块，且挤压块位置与圆膜一一对应。

本发明具备以下有益效果：