[发明专利]发光二极管及其制备方法有效
| 申请号： | 202111376233.8 | 申请日： | 2021-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN114141924B | 公开（公告）日： | 2023-08-11 |
| 发明（设计）人： | 蔡琳榕;杨力勋 | 申请（专利权）人： | 厦门市三安光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/46 | 分类号： | H01L33/46;H01L33/14;H01L33/06;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京汉之知识产权代理事务所(普通合伙) 11479 | 代理人： | 王立红 |
| 地址： | 361009 福建省厦*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种发光二极管及其制备方法，包括顺序排列的半导体堆叠层、第一绝缘层和反射结构，第一绝缘层设有延伸至半导体堆叠层的第一开口；反射结构包括顺序排列的第一粘附层、第二粘附层和第一反射层，第一粘附层为图案化结构，且间断设置在第一绝缘层上并至少填充第一开口；第二粘附层位于图案化的第一粘附层上。本申请中第一粘附层填充第一开口，第二粘附层位于第一粘附层上，可使第一反射层与第一开口下方的半导体堆叠层通过第一粘附层直接或间接连接，第一反射层与非第一开口处的第一绝缘层通过第二粘附层连接，在提高第一反射层与半导体堆叠层之间粘附性的基础上，提高了对半导体堆叠层发出光的反射率，以及发光二极管的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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