[发明专利]发光二极管及其制备方法

权利要求书

1.一种发光二极管，包括顺序排列的半导体堆叠层、第一绝缘层和反射结构，所述第一绝缘层设有延伸至所述半导体堆叠层的第一开口；其特征在于，所述反射结构包括：

第一粘附层，为图案化结构；所述第一粘附层间断设置在所述第一绝缘层上并至少填充所述第一开口；

第二粘附层，覆盖所述第一粘附层以及所述第一绝缘层除第一粘附层之外的区域；所述第二粘附层对预定波段的光的反射率大于所述第一粘附层对预定波段的光的反射率；

第一反射层，位于所述第二粘附层远离第一粘附层的一侧。

2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第一粘附层和第二粘附层之间还包括有第二反射层，所述第二反射层覆盖在所述第一粘附层上。

3.根据权利要求2所述的发光二极管，其特征在于，所述第二反射层与所述第一粘附层复配后的反射率介于60％～95％。

4.根据权利要求2所述的发光二极管，其特征在于，所述第一反射层与所述第二粘附层复配后的反射率介于80％～98％。

5.根据权利要求2所述的发光二极管，其特征在于，所述第一粘附层配置有与第一开口对应的凹陷区，所述第二反射层呈“T”型，并填充所述凹陷区。

6.根据权利要求2所述的发光二极管，其特征在于，所述第一粘附层配置有与第一开口对应的凹陷区，所述第二反射层覆盖所述凹陷区的侧壁和底面。

7.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第二粘附层在垂向上的投影面积与所述第一粘附层在垂向上的投影面积之比为20:1～10:3。

8.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第一粘附层的材料包括透明导电材料，所述第一粘附层的厚度为

9.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第二粘附层的材料包括铝，所述第二粘附层的厚度为

10.根据权利要求2所述的发光二极管，其特征在于，所述第一反射层和第二反射层的材料均包括银，所述第一反射层和第二反射层的厚度为

11.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述半导体堆叠层与所述第一绝缘层之间包括有电流扩展层，在垂向投影中，所述第一开口位于所述电流扩展层内。

12.根据权利要求1～11中任一项所述的发光二极管，其特征在于，还包括：

第二绝缘层，位于所述反射结构远离第一绝缘层的一侧，并包覆在所述反射结构的外围；

金属层，位于所述第二绝缘层远离反射结构的一侧，并具有与所述半导体堆叠层电连接的导电柱；

基板，位于所述金属层远离第二绝缘层的一侧。

13.根据权利要求12所述的发光二极管，其特征在于，所述反射结构与所述第二绝缘层之间包括有导电层，所述导电层包覆在所述反射结构的外围，所述导电层的材料包括Ag、Au、Ti、Al、Cr、Pt、TiW合金、Ni或以上任意组合；所述导电层朝向所述半导体堆叠层的表面电连接有接触电极。

14.根据权利要求13所述的发光二极管，其特征在于，所述半导体堆叠层包括顺序排列的第一半导体层、有源层和第二半导体层，所述第一绝缘层形成在所述第二半导体层上；所述导电柱与所述第一半导体层电连接，所述接触电极与所述第二半导体层电连接。