[发明专利]发光二极管及其制备方法

说明书

本申请公开了一种发光二极管及其制备方法，包括顺序排列的半导体堆叠层、第一绝缘层和反射结构，第一绝缘层设有延伸至半导体堆叠层的第一开口；反射结构包括顺序排列的第一粘附层、第二粘附层和第一反射层，第一粘附层为图案化结构，且间断设置在第一绝缘层上并至少填充第一开口；第二粘附层位于图案化的第一粘附层上。本申请中第一粘附层填充第一开口，第二粘附层位于第一粘附层上，可使第一反射层与第一开口下方的半导体堆叠层通过第一粘附层直接或间接连接，第一反射层与非第一开口处的第一绝缘层通过第二粘附层连接，在提高第一反射层与半导体堆叠层之间粘附性的基础上，提高了对半导体堆叠层发出光的反射率，以及发光二极管的发光效率。

技术领域

本申请涉及半导体相关技术领域，尤其涉及一种发光二极管及其制备方法。

背景技术

发光二极管由于可靠性高、寿命长、功耗低的特点，广泛应用于各个领域。为了提高发光二极管的发光效率，常常在半导体堆叠层上形成反射层，反射层与半导体堆叠层之间的粘附性较差，因此，需要在反射层与半导体堆叠层之间增设一层粘附层，以增强反射层在半导体堆叠层上的粘附性。

现有发光二极管中的粘附层一般由氧化铟锡制备而成，其具有良好的粘附性，但对半导体堆叠层所发出光的透光率较差，反射率较低，进而会影响整个发光二极管的反射效果，以及发光效率。

发明内容

本申请的目的在于提供一种发光二极管，其使第一反射层与第一开口下方的半导体堆叠层通过第一粘附层直接或间接连接，第一反射层与非第一开口处的第一绝缘层通过第二粘附层连接，能够在提高第一反射层与半导体堆叠层之间粘附性的基础上，有效提高粘附层对半导体堆叠层所发出光的透光率和反射率，进而提高发光二极管的发光效率。

另一目的还在于提供一种上述发光二极管的制备方法。

第一方面，本申请实施例提供了一种发光二极管，其包括顺序排列的半导体堆叠层、第一绝缘层和反射结构，第一绝缘层设有延伸至半导体堆叠层的第一开口；反射结构包括：

第一粘附层，为图案化结构；第一粘附层间断设置在第一绝缘层上并至少填充第一开口；

第二粘附层，覆盖第一粘附层上以及第一绝缘层除第一粘附层之外的区域；第二粘附层对预定波段的光的反射率大于第一粘附层对预定波段的光的反射率；

第一反射层，位于第二粘附层远离第一粘附层的一侧。

在一种可能的实施方案中，第一粘附层和第二粘附层之间还包括有第二反射层，第二反射层覆盖在第一粘附层上。

在一种可能的实施方案中，第二反射层与第一粘附层复配后的反射率介于60％～95％。

在一种可能的实施方案中，第一反射层与第二粘附层复配后的反射率介于80％～98％。

在一种可能的实施方案中，第一粘附层配置有与第一开口对应的凹陷区，第二反射层呈“T”型，并填充凹陷区。

在一种可能的实施方案中，第一粘附层配置有与第一开口对应的凹陷区，第二反射层覆盖凹陷区的侧壁和底面。

在一种可能的实施方案中，第二粘附层在垂向上的投影面积与第一粘附层在垂向上的投影面积之比为20:1～10:3。

在一种可能的实施方案中，第一粘附层的材料包括透明导电材料，第一粘附层的厚度为

在一种可能的实施方案中，第二粘附层的材料包括铝，第二粘附层的厚度为

在一种可能的实施方案中，第一反射层和第二反射层的材料均包括银，第一反射层和第二反射层的厚度为

在一种可能的实施方案中，半导体堆叠层与第一绝缘层之间包括有电流扩展层，在垂向投影中，第一开口位于电流扩展层内。