[发明专利]一种3D NAND存储器件及其制造方法在审
| 申请号： | 202111369255.1 | 申请日： | 2021-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN114093811A | 公开（公告）日： | 2022-02-25 |
| 发明（设计）人： | 陈亮;刘威;黄诗琪 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/538;H01L27/11524;H01L27/11556;H01L27/1157;H01L27/11582 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 柳虹 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本申请提供一种3D NAND存储器件及其制造方法，多个存储区域通过伪存储区域进行分隔，刻蚀堆叠层以在伪存储区域中形成多个栅线隔离缝隙，通过在栅线隔离缝隙中填充绝缘层，并刻蚀绝缘层得到贯穿绝缘层至衬底的连接孔，在连接孔中填充金属，以在栅线隔离缝隙中形成接触插塞，最终通过多个接触插塞形成从3D NAND存储器件的一侧表面至相对的另一侧表面的电连接。由此可见，本申请通过在栅线隔离缝隙中形成接触插塞，能够在3D NAND存储器件中形成足够的接触插塞，并且能够避免降低存储区域占据存储器件的面积，提高存储器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 nand 存储 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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