[发明专利]一种3D NAND存储器件及其制造方法

说明书

本申请提供一种3D NAND存储器件及其制造方法，多个存储区域通过伪存储区域进行分隔，刻蚀堆叠层以在伪存储区域中形成多个栅线隔离缝隙，通过在栅线隔离缝隙中填充绝缘层，并刻蚀绝缘层得到贯穿绝缘层至衬底的连接孔，在连接孔中填充金属，以在栅线隔离缝隙中形成接触插塞，最终通过多个接触插塞形成从3D NAND存储器件的一侧表面至相对的另一侧表面的电连接。由此可见，本申请通过在栅线隔离缝隙中形成接触插塞，能够在3D NAND存储器件中形成足够的接触插塞，并且能够避免降低存储区域占据存储器件的面积，提高存储器件的性能。

技术领域

本发明涉及半导体器件及其制造领域，特别涉及一种3D NAND存储器件及其制造方法。

背景技术

NAND存储器件是具有功耗低、质量轻且性能佳的非易失存储产品，在电子产品中得到了广泛的应用。平面结构的NAND器件已近实际扩展的极限，为了进一步的提高存储容量，降低每比特的存储成本，提出了3D NAND存储器件。

但是当前的3D NAND存储器件存在存储性能不够优越的情况，不能满足高性能存储的需求。

发明内容

本申请提供一种3D NAND存储器件及其制造方法，能够在3D NAND存储器件中形成足够的接触插塞，提高存储器件的性能。

本申请实施例提供了一种3D NAND存储器件的制造方法，包括：

提供衬底，所述衬底上形成有牺牲层和介质层交替层叠的堆叠层；

刻蚀所述堆叠层，以在所述堆叠层中形成多个栅线隔离缝隙，所述栅线隔离缝隙贯穿所述堆叠层至所述衬底，所述多个栅线隔离缝隙形成在伪存储区域，所述伪存储区域将所述堆叠层分为多个存储区域；

向所述栅线隔离缝隙中填充绝缘层；

刻蚀所述绝缘层，形成连接孔，所述连接孔贯穿所述绝缘层至所述衬底；

进行所述连接孔的金属填充。

可选地，所述栅线隔离缝隙包括第一隔离缝隙和第二隔离缝隙，所述第一隔离缝隙靠近所述存储区域；

还包括：

从所述衬底进行刻蚀以形成贯穿所述衬底的接触孔；所述接触孔暴露所述第二隔离缝隙的连接孔内填充的金属；

进行所述接触孔的金属填充。

可选地，所述刻蚀所述绝缘层包括：

仅刻蚀所述第二隔离缝隙中的绝缘层；

还包括：

从所述衬底进行刻蚀以形成贯穿所述衬底的隔离通孔；所述隔离通孔靠近所述存储区域并暴露所述第一隔离缝隙的绝缘层；

进行所述隔离通孔的绝缘材料填充，以形成深沟槽隔离层。

可选地，在进行所述接触孔的金属填充之前，还包括：

沉积绝缘材料；

去除所述接触孔底部的绝缘材料，保留所述接触孔侧壁的绝缘材料；

对所述接触孔湿法清洗。

可选地，所述存储区域的堆叠层中形成有沟道孔，所述沟道孔贯穿所述堆叠层至所述衬底，所述沟道孔内依次形成有存储功能层和沟道层；

在向所述栅线隔离缝隙中填充绝缘层之前，还包括：

利用所述栅线隔离缝隙去除所述牺牲层，形成开口；

在所述开口中形成栅极层。

可选地，在进行所述连接孔的金属填充之后，还包括：