[发明专利]一种3D NAND存储器件及其制造方法

权利要求书

1.一种3D NAND存储器件的制造方法，其特征在于，包括：

提供衬底，所述衬底上形成有牺牲层和介质层交替层叠的堆叠层；

刻蚀所述堆叠层，以在所述堆叠层中形成多个栅线隔离缝隙，所述栅线隔离缝隙贯穿所述堆叠层至所述衬底，所述多个栅线隔离缝隙形成在伪存储区域，所述伪存储区域将所述堆叠层分为多个存储区域；

向所述栅线隔离缝隙中填充绝缘层；

刻蚀所述绝缘层，形成连接孔，所述连接孔贯穿所述绝缘层至所述衬底；

进行所述连接孔的金属填充。

2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述栅线隔离缝隙包括第一隔离缝隙和第二隔离缝隙，所述第一隔离缝隙靠近所述存储区域；

还包括：

从所述衬底进行刻蚀以形成贯穿所述衬底的接触孔；所述接触孔暴露所述第二隔离缝隙的连接孔内填充的金属；

进行所述接触孔的金属填充。

3.根据权利要求2所述的制造方法，其特征在于，所述刻蚀所述绝缘层包括：

仅刻蚀所述第二隔离缝隙中的绝缘层；

还包括：

从所述衬底进行刻蚀以形成贯穿所述衬底的隔离通孔；所述隔离通孔靠近所述存储区域并暴露所述第一隔离缝隙的绝缘层；

进行所述隔离通孔的绝缘材料填充，以形成深沟槽隔离层。

4.根据权利要求2所述的制造方法，其特征在于，在进行所述接触孔的金属填充之前，还包括：

沉积绝缘材料；

去除所述接触孔底部的绝缘材料，保留所述接触孔侧壁的绝缘材料；

对所述接触孔湿法清洗。

5.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述存储区域的堆叠层中形成有沟道孔，所述沟道孔贯穿所述堆叠层至所述衬底，所述沟道孔内依次形成有存储功能层和沟道层；

在向所述栅线隔离缝隙中填充绝缘层之前，还包括：

利用所述栅线隔离缝隙去除所述牺牲层，形成开口；

在所述开口中形成栅极层。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在进行所述连接孔的金属填充之后，还包括：

在所述堆叠层上形成键合层，所述键合层包括金属键合层；

所述金属键合层与所述连接孔内的金属电连接。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述绝缘层为氧化硅层，所述连接孔内的填充的金属为钨。

8.一种3D NAND存储器件，其特征在于，包括：

衬底，所述衬底上形成有牺牲层和介质层交替层叠的堆叠层；

所述堆叠层中具有多个栅线隔离缝隙，所述栅线隔离缝隙贯穿所述堆叠层至所述衬底；所述多个栅线隔离缝隙形成在伪存储区域，所述伪存储区域将所述堆叠层分为多个存储区域；

所述栅线隔离缝隙中形成有绝缘层和连接孔；所述连接孔贯穿所述绝缘层至所述衬底；

所述连接孔内有金属填充。

9.根据权利要求8所述的器件，其特征在于，还包括：

贯穿所述衬底以暴露所述连接孔内金属的接触孔以及贯穿所述衬底的隔离通孔；

所述接触孔内有金属填充，所述隔离通孔内形成有深沟槽隔离层。

10.根据权利要求8所述的器件，其特征在于，还包括：

所述堆叠层上形成有键合层，所述键合层包括金属键合层；

所述金属键合层与所述连接孔内的金属电连接。