[发明专利]一种降低碎片率的薄硅片HJT电池制备方法

摘要

本发明公开了一种降低碎片率的薄硅片HJT电池制备方法，涉及太阳能电池制造技术领域，包具体为：将硅片采用碱性溶液进行各向异性腐蚀，在硅片正背面形成对称的金字塔结构绒面，得到结构化硅片；在上述结构化硅片的正面和背面进行沉积，形成非晶硅薄膜层；在非晶硅薄膜层的正和背面进行沉积，形成掺杂非晶硅薄膜层；在掺杂非晶硅薄膜层的正面和背面进行沉积，形成导电薄膜层；在导电薄膜层的正面和背面覆盖金属电极，然后固化。其中在不增加整线工艺流程及设备投资前提下，只通过简单的工艺方法，即可降低生产过程的碎片率，使成本明显下降，有利于大规模推进HJT电池产业化进程。