[发明专利]一种降低碎片率的薄硅片HJT电池制备方法

权利要求书

1.一种降低碎片率的薄硅片HJT电池制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

(1)将硅片采用碱性溶液进行各向异性腐蚀，在硅片正背面形成对称的金字塔结构绒面，得到结构化硅片；

(2)在所述结构化硅片的正面和背面进行沉积，形成厚度对称非晶硅薄膜层；

(3)在所述非晶硅薄膜层的正面和背面进行沉积，形成厚度对称掺杂非晶硅薄膜层；

(4)在所述掺杂非晶硅薄膜层的正面和背面进行沉积，形成导电薄膜层；

(5)在所述导电薄膜层的正面和背面覆盖金属电极，然后固化。

2.根据权利要求1所述降低碎片率的薄硅片HJT电池制备方法，其特征在于，步骤(1)中所述硅片包括N型准方的单晶硅片；所述硅片的厚度为50-200μm、电阻率为0-9Ω·cm^-1；

所述碱性溶液采用质量浓度为40-50％的KOH溶液或NaOH溶液；

所述金字塔结构的底部对角线长度为1-9μm。

3.根据权利要求1所述降低碎片率的薄硅片HJT电池制备方法，其特征在于，步骤(2)中所述沉积的气体为SiH₄，温度200-250℃，气体流量700-400sccm，沉积速率为0.5-3A·s^-1，时间为5-30s；所述非晶硅薄膜层的厚度为3-10nm。

4.根据权利要求1所述降低碎片率的薄硅片HJT电池制备方法，其特征在于，步骤(3)中所述沉积的气体为掺杂源气体与氢气的混合气，所述掺杂源气体占混合气的体积百分比为1-5％，温度为200-250℃，气体流量为700-400sccm；所述掺杂非晶硅薄膜层的厚度为15-20nm。

5.根据权利要求4所述降低碎片率的薄硅片HJT电池制备方法，其特征在于，步骤(3)中所述掺杂源气体由P型掺杂源气体和N型掺杂源气体，所述P型掺杂源气体为硼烷(B₂H₆)或三甲基硼，所述N型掺杂源气体为磷烷。

6.根据权利要求1所述降低碎片率的薄硅片HJT电池制备方法，其特征在于，步骤(4)所述沉积的工作压强2-10×10^-3Pa，保护气体为氩气，反应气体为氧气，溅射功率为60-100W；所述导电薄膜层为ITO或IWO，厚度为60-120nm。

7.根据权利要求1所述降低碎片率的薄硅片HJT电池制备方法，其特征在于，步骤(5)所述金属电极为银电极；所述覆盖通过丝网印刷实现，在190～250℃下固化固化时间10-30min。

8.根据权利要求7所述降低碎片率的薄硅片HJT电池制备方法，其特征在于，步骤(5)中所述银电极由主栅和副栅垂直分布而成，所述主栅的线数为0-20、宽度为0-1.2mm，所述副栅线数为80-200、宽度为20-60μm。