[发明专利]MTP器件及其制造方法在审
| 申请号： | 202111368536.5 | 申请日： | 2021-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN114188397A | 公开（公告）日： | 2022-03-15 |
| 发明（设计）人： | 王乐平;隋建国;尤鸿朴 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/336;H01L29/788;H01L27/11521 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种MTP器件的制造方法，包括：提供形成有浮栅多晶硅层和ONO侧墙的衬底；形成层间介质层。形成层间介质层的步骤包括：在浮栅多晶硅层上形成阻挡层和BPSG层；执行高温回流工艺和湿法清洗工艺；在所述BPSG层上形成氧化层。本发明还提供一种MTP器件。本申请通过形成阻挡层‑BPSG层‑氧化层结构的层间介质层，因所述BPSG层经高温回流工艺之后其良好的填充能力，可以避免因使用HDP工艺导致MTP器件被等离子体轰击损坏的情况，从而保证了MTP器件可靠性。进一步的，因所述阻挡层、所述BPSG层和所述氧化层的三重保护，避免了所述阻挡层下方的浮栅多晶硅层被损坏的情况，提高了MTP器件的数据保存能力。 | ||
| 搜索关键词： | mtp 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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