[发明专利]MTP器件及其制造方法

说明书

本发明提供一种MTP器件的制造方法，包括：提供形成有浮栅多晶硅层和ONO侧墙的衬底；形成层间介质层。形成层间介质层的步骤包括：在浮栅多晶硅层上形成阻挡层和BPSG层；执行高温回流工艺和湿法清洗工艺；在所述BPSG层上形成氧化层。本发明还提供一种MTP器件。本申请通过形成阻挡层‑BPSG层‑氧化层结构的层间介质层，因所述BPSG层经高温回流工艺之后其良好的填充能力，可以避免因使用HDP工艺导致MTP器件被等离子体轰击损坏的情况，从而保证了MTP器件可靠性。进一步的，因所述阻挡层、所述BPSG层和所述氧化层的三重保护，避免了所述阻挡层下方的浮栅多晶硅层被损坏的情况，提高了MTP器件的数据保存能力。

技术领域

本申请涉及MTP器件技术领域，具体涉及一种MTP器件及其制造方法。

背景技术

随着半导体技术的发展，采用半导体芯片存储数据成为趋势。尤其是在微型中央处理器(MCU)中，更是会大量使用易于集成的存储单元。根据存储类型的不同，存储器件可以分为：一次性可编程(OTP)、多次可编程器件(MTP)、闪存(Flash)器件等。OTP器件可以进行一次性数据编写，之后程式将被固化，其价格低廉，适合有定制需求的低成本应用场合；Flash器件可以反复擦写，灵活性很强，但成本较高，适合对价格不敏感的场合或用于开发；MTP器件则介于二者之间，成本较低，可以多次编写，反复使用。MTP器件的多晶硅浮栅主要用于保存存储数据。

现有的NMOS的MTP器件的0.18um与95nm制造工艺中，在浮栅多晶硅层上形成后，会利用HDP工艺沉积ILD层，但是因为HDP工艺的轰击作用，浮栅多晶硅层、栅氧等膜层会被损坏，从而导致MTP器件出现多次擦写后的数据保存能力较差的问题。

发明内容

本申请提供了一种MTP器件及其制造方法，可以解决MTP器件在擦写后数据保存能力较差的问题。

一方面，本申请实施例提供了MTP器件的制造方法，包括：

提供一衬底，所述衬底上形成有浮栅多晶硅层，所述浮栅多晶硅层侧形成有ONO侧墙；以及，

形成层间介质层，所述层间介质层覆盖所述浮栅多晶硅层、所述ONO侧墙和部分衬底；其中，形成所述层间介质层的步骤包括：

形成阻挡层，所述阻挡层覆盖所述浮栅多晶硅层、所述ONO侧墙和部分衬底；

形成BPSG层，所述BPSG层覆盖所述阻挡层；

对所述BPSG层执行高温回流工艺；

对所述BPSG层执行湿法清洗工艺；以及，

形成氧化层，所述氧化层覆盖所述BPSG层。

可选的，在所述MTP器件的制造方法中，所述BPSG层中，硼离子掺杂浓度为10MOL％～15MOL％；磷离子掺杂浓度为2MOL％～4MOL％。

可选的，在所述MTP器件的制造方法中，对所述BPSG层执行高温回流工艺过程中，回流温度为570℃～670℃。

可选的，在所述MTP器件的制造方法中，所述BPSG层的厚度为

可选的，在所述MTP器件的制造方法中，所述氧化层的厚度为

可选的，在所述MTP器件的制造方法中，所述阻挡层的材质为氮化硅。

可选的，在所述MTP器件的制造方法中，所述阻挡层的厚度为

可选的，在所述MTP器件的制造方法中，所述衬底和所述浮栅多晶硅层之间还形成有栅氧化层。

另一方面，本申请实施例还提供了一种MTP器件，包括：

衬底，所述衬底上形成有浮栅多晶硅层，所述浮栅多晶硅层侧形成有ONO侧墙；以及，