[发明专利]MTP器件及其制造方法在审
| 申请号： | 202111368536.5 | 申请日： | 2021-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN114188397A | 公开（公告）日： | 2022-03-15 |
| 发明（设计）人： | 王乐平;隋建国;尤鸿朴 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/336;H01L29/788;H01L27/11521 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | mtp 器件 及其 制造 方法 | ||
1.一种MTP器件的制造方法，其特征在于，包括：
提供一衬底，所述衬底上形成有浮栅多晶硅层，所述浮栅多晶硅层侧形成有ONO侧墙；以及，
形成层间介质层，所述层间介质层覆盖所述浮栅多晶硅层、所述ONO侧墙和部分衬底；其中，形成所述层间介质层的步骤包括：
形成阻挡层，所述阻挡层覆盖所述浮栅多晶硅层、所述ONO侧墙和部分衬底；
形成BPSG层，所述BPSG层覆盖所述阻挡层；
对所述BPSG层执行高温回流工艺；
对所述BPSG层执行湿法清洗工艺；以及，
形成氧化层，所述氧化层覆盖所述BPSG层。
2.根据权利要求1所述的MTP器件的制造方法，其特征在于，所述BPSG层中，硼离子掺杂浓度为10MOL％～15MOL％；磷离子掺杂浓度为2MOL％～4MOL％。
3.根据权利要求1所述的MTP器件的制造方法，其特征在于，对所述BPSG层执行高温回流工艺过程中，回流温度为570℃～670℃。
4.根据权利要求1所述的MTP器件的制造方法，其特征在于，所述BPSG层的厚度为
5.根据权利要求1所述的MTP器件的制造方法，其特征在于，所述氧化层的厚度为
6.根据权利要求1所述的MTP器件的制造方法，其特征在于，所述阻挡层的材质为氮化硅。
7.根据权利要求1所述的MTP器件的制造方法，其特征在于，所述阻挡层的厚度为
8.根据权利要求1所述的MTP器件的制造方法，其特征在于，所述衬底和所述浮栅多晶硅层之间还形成有栅氧化层。
9.一种MTP器件，其特征在于，包括：
衬底，所述衬底上形成有浮栅多晶硅层，所述浮栅多晶硅层侧形成有ONO侧墙；以及，
层间介质层，其中，所述层间介质层包括：阻挡层、BPSG层和氧化层，所述阻挡层覆盖所述浮栅多晶硅层和所述ONO侧墙，所述BPSG层覆盖所述阻挡层，所述氧化层覆盖所述BPSG层。
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