[发明专利]浮栅型分栅闪存器件及其制造方法

摘要

本发明公开了一种浮栅型分栅闪存器件及其制造方法，该浮栅型分栅闪存器件包括P型阱等，选择栅氧化层、选择栅多晶硅层、第二氧化硅层、第二氮化硅层、第三氧化硅层依次位于P型阱的上面，两个侧墙型控制栅多晶硅层、隔离介质层都位于第三氧化硅层的一个缺口X内，浮栅氧化硅介质层位于第三氧化硅层的外面、隔离介质层的外面，两个侧墙型浮栅多晶硅层位于浮栅氧化硅介质层的外面且分别对应两个侧墙型控制栅多晶硅层，第二LDD区、源漏区都位于P型阱的两侧顶部。本发明可有效地降低WL‑FG的耦合系数，同时增加CG‑FG的耦合系数，达到增强CG控制能力，减小器件漏电的效果，提高闪存器件的性能。