[发明专利]浮栅型分栅闪存器件及其制造方法

权利要求书

1.一种浮栅型分栅闪存器件，其特征在于，其包括P型阱、选择栅氧化层、选择栅多晶硅层、第二氧化硅层、第二氮化硅层、第三氧化硅层、侧墙型控制栅多晶硅层、隔离介质层、浮栅氧化硅介质层、侧墙型浮栅多晶硅层、第二LDD区、源漏区、第四侧墙介质层和第五侧墙介质层，选择栅氧化层、选择栅多晶硅层、第二氧化硅层、第二氮化硅层、第三氧化硅层依次位于P型阱的上面，两个侧墙型控制栅多晶硅层、隔离介质层都位于第三氧化硅层的一个缺口内，浮栅氧化硅介质层位于第三氧化硅层的外面、隔离介质层的外面，两个侧墙型浮栅多晶硅层位于浮栅氧化硅介质层的外面且分别对应两个侧墙型控制栅多晶硅层，第二LDD区、源漏区都位于P型阱的两侧顶部，第四侧墙介质层和第五侧墙介质层依次位于侧墙型浮栅多晶硅层的外侧。

2.一种浮栅型分栅闪存器件的制造方法，其特征在于，其包括以下步骤：

步骤十一，在P型衬底上注入形成P型阱，P型阱上依次形成选择栅氧化层、选择栅多晶硅层、多晶硅间ONO层中的第二氧化硅层、第二氮化硅层，多晶硅间ONO层包括第二氧化硅层、第二氮化硅层、第三氧化硅层；再沉积刻蚀停止层、第一氮化硅层；光刻定义选择晶体管栅的区域，刻蚀第一氮化硅层和刻蚀停止层形成一个开口；

步骤十二，依次沉积形成第三氧化硅层、控制栅多晶硅层，并异性刻蚀形成侧墙型控制栅多晶硅层；侧墙型控制栅多晶硅层位于开口内；

步骤十三，沉积形成两个侧墙型控制栅多晶硅层之间的隔离介质层，以第一氮化硅层为CMP停止层，进行化学机械研磨；

步骤十四，以第三氧化硅层、隔离介质层为刻蚀掩膜层，湿法刻蚀去除第一氮化硅层；以第三氧化硅层、隔离介质层为掩膜依次对刻蚀停止层、第二氮化硅层、第二氧化硅层、选择栅多晶硅层刻蚀，热氧化在选择栅多晶硅层的侧面形成热氧化层，然后再刻蚀选择栅氧化层；

步骤十五，沉积形成浮栅氧化硅介质层，再沉积浮栅多晶硅层，然后刻蚀浮栅多晶硅层形成侧墙型浮栅多晶硅层，光刻选择性刻蚀在器件的宽度方向上将浮栅形成相互隔离的浮栅多晶硅块，并进行氧化在浮栅侧壁形成第四氧化硅层，并进行LDD注入形成第二LDD区；

步骤十六，沉积并刻蚀形成第四侧墙介质层和第五侧墙介质层，进行源漏重掺杂注入形成源漏区。

3.如权利要求2所述的浮栅型分栅闪存器件的制造方法，其特征在于，所述步骤十一具体是先光刻定义选择晶体管栅的区域，然后刻蚀去除开口区域的第一氮化硅层和刻蚀停止层。

4.如权利要求2所述的浮栅型分栅闪存器件的制造方法，其特征在于，所述步骤十二中的第三氧化硅层位于第一氮化硅层、第二氮化硅层上，侧墙型控制栅多晶硅层位于第三氧化硅层上且位于第三氧化硅层的一个缺口内，两个侧墙型浮栅多晶硅层位于浮栅氧化硅介质层的外面且分别对应两个侧墙型控制栅多晶硅层。

5.如权利要求2所述的浮栅型分栅闪存器件的制造方法，其特征在于，所述刻蚀停止层位于第二氮化硅层和第一氮化硅层之间。

6.如权利要求2所述的浮栅型分栅闪存器件的制造方法，其特征在于，所述第二LDD区、源漏区都位于P型阱的两侧顶部。

7.如权利要求2所述的浮栅型分栅闪存器件的制造方法，其特征在于，所述第四侧墙介质层和第五侧墙介质层依次位于侧墙型浮栅多晶硅层的外侧。

8.如权利要求2所述的浮栅型分栅闪存器件的制造方法，其特征在于，所述刻蚀停止层采用氧化硅。