[发明专利]一种改善耗尽型MOSFET器件的制造方法在审
| 申请号： | 202111365395.1 | 申请日： | 2021-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN113808950A | 公开（公告）日： | 2021-12-17 |
| 发明（设计）人： | 何军;胡兴正;薛璐;刘海波 | 申请（专利权）人： | 南京华瑞微集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/266;H01L29/78 |
| 代理公司： | 南京瑞华腾知识产权代理事务所(普通合伙) 32368 | 代理人： | 钱丽 |
| 地址： | 211800 江苏省南京市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种改善耗尽型MOSFET器件的制造方法。该方法包括在外延层的上侧长场氧层；采用干法刻蚀工艺在所述场氧层上刻蚀形成用以制作体区的第一注入口，并保留刻蚀操作留下的对位标记；在第一注入口内的外延层上侧生长掩蔽层，通过第一注入口对外延层进行体区注入操作和体区推阱操作，以在有源区的外延层内制作形成体区；在掩蔽层和场氧层的上侧涂抹一层光刻胶，以刻蚀形成第一注入口时保留的对位标记进行对位，并对光刻胶进行曝光，以在光刻胶上光刻形成用以制作源区的第二注入口。本发明最大限度的保证了源区与体区对位关系的准确性以及反型沟道的宽度的高度一致性，增大了批量化生产的工艺窗口，改善了关断电压参数的一致性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改善 耗尽 mosfet 器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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