[发明专利]一种改善耗尽型MOSFET器件的制造方法

权利要求书

1.一种改善耗尽型MOSFET器件的制造方法，其特征在于，包括：

提供衬底，并在所述衬底上制作外延层；

在终端区的外延层上侧制作出Ring结；

对有源区内的外延层进行JFET注入操作和JFET推阱操作，以降低有源区内寄生JFET区电阻；

在所述外延层的上侧长场氧层；

采用干法刻蚀工艺在所述场氧层上刻蚀形成用以制作体区的第一注入口，并保留刻蚀操作留下的对位标记；

在所述第一注入口内的外延层上侧生长掩蔽层，通过所述第一注入口对外延层进行体区注入操作和体区推阱操作，以在有源区的外延层内制作形成体区；

在所述掩蔽层和场氧层的上侧涂抹一层光刻胶，以刻蚀形成所述第一注入口时保留的对位标记进行对位，并对所述光刻胶进行曝光，以在所述光刻胶上光刻形成用以制作源区的第二注入口；

通过所述第二注入口对体区进行源区注入操作和源区推阱操作，以在所述体区内制作形成源区；

将有源区内残留的场氧层刻蚀掉，并在所述外延层的上侧生长氧化层，然后进行VT注入操作，以在所述体区内制作形成反型沟道层；

在所述外延层的上侧长栅氧化层，并在所述栅氧化层和场氧层的上侧沉积多晶硅，对所述多晶硅掺杂，然后进行刻蚀操作，以制作形成多晶栅和终端多晶场板结构；

淀积介质层，并在所述介质层和外延层上刻蚀出连接孔；

在所述介质层的上侧及连接孔内淀积金属层，并将所述金属层刻蚀形成源极金属和栅极金属。

2.根据权利要求1所述的改善耗尽型MOSFET器件的制造方法，其特征在于，所述第一注入口四周的仰角为80°至90°。

3.根据权利要求1所述的改善耗尽型MOSFET器件的制造方法，其特征在于，所述衬底为N型衬底。

4.根据权利要求3所述的改善耗尽型MOSFET器件的制造方法，其特征在于，所述Ring结的制作步骤如下：

在所述外延层上长氧化层；

在所述氧化层上刻蚀出Ring注入窗口；

通过所述Ring注入窗口对外延层进行Ring注入操作，Ring注入的元素为硼，注入的能量为60Kev-120Kev，注入剂量为1E13-3E13。

5.根据权利要求3所述的改善耗尽型MOSFET器件的制造方法，其特征在于，所述JFET注入操作注入的元素为磷，注入的能量为100Kev-140Kev，注入剂量为2E12-6E12，所述JFET推阱操作的推阱温度为1150℃，推阱时间为150-250min。

6.根据权利要求3所述的改善耗尽型MOSFET器件的制造方法，其特征在于，所述体区注入操作注入的元素为硼，注入的能量为60Kev-100Kev，注入剂量为3E13-7E13，所述体区推阱操作的推阱温度为1150℃，推阱时间为120-180min。

7.根据权利要求3所述的改善耗尽型MOSFET器件的制造方法，其特征在于，所述源区注入操作注入的元素为砷，注入的能量为60Kev-80Kev，注入剂量为3E15-8E15，所述源区推阱操作推阱温度为900℃，推阱时间为30min。

8.根据权利要求3所述的改善耗尽型MOSFET器件的制造方法，其特征在于，所述VT注入操作注入的元素为砷，注入的能量为45Kev-60Kev，注入剂量为3E12-7E12。

9.根据权利要求1所述的改善耗尽型MOSFET器件的制造方法，其特征在于，沉积介质层具体包括：先淀积二氧化硅层，再淀积硼磷硅玻璃层，然后进行介质回流，介质回流的温度为875℃，介质回流的时间为30min。

10.根据权利要求9所述的改善耗尽型MOSFET器件的制造方法，其特征在于，所述二氧化硅层的厚度为1200-2000埃，所述硼磷硅玻璃层的厚度为8000-10000埃。