[发明专利]一种改善耗尽型MOSFET器件的制造方法

说明书

本发明公开了一种改善耗尽型MOSFET器件的制造方法。该方法包括在外延层的上侧长场氧层；采用干法刻蚀工艺在所述场氧层上刻蚀形成用以制作体区的第一注入口，并保留刻蚀操作留下的对位标记；在第一注入口内的外延层上侧生长掩蔽层，通过第一注入口对外延层进行体区注入操作和体区推阱操作，以在有源区的外延层内制作形成体区；在掩蔽层和场氧层的上侧涂抹一层光刻胶，以刻蚀形成第一注入口时保留的对位标记进行对位，并对光刻胶进行曝光，以在光刻胶上光刻形成用以制作源区的第二注入口。本发明最大限度的保证了源区与体区对位关系的准确性以及反型沟道的宽度的高度一致性，增大了批量化生产的工艺窗口，改善了关断电压参数的一致性。

技术领域

本发明涉及耗尽型MOSFET器件技术领域，具体涉及一种改善耗尽型MOSFET器件的制造方法。

背景技术

通常耗尽型MOS基于增强型MOS平台增加1-2张Mask即可完成开发，版顺序及各层间对位关系为：Ring→AA(留下对位标记)→Pwell(与AA对位)→VT(与AA对位)→Poly(与AA对位并留下对位标记)→NSD(与Poly对位)→CNT；可见NSD与Pwell所形成的反向沟道需要经过Poly这一层版的对位标记作为中转形成，因此，在实际生产过程中，耗尽型MOS的反型层沟道宽度一致性差，导致关断电压参数一致性差，也极易出现由于工艺波动导致的关断电压参数漂移导致产品低良失效的情况，也为产品的实际应用带来了隐患，耗尽型MOS产品对版图及工艺设计均提出了更高的要求。

发明内容

本发明的目的是针对现有技术存在的不足，提供一种改善耗尽型MOSFET器件的制造方法。

为实现上述目的，本发明提供了一种改善耗尽型MOSFET器件的制造方法，优化后版顺序及各层间对位关系为：

Ring→JFET(与Ring对位)→Pwell(与Ring对位，干法刻蚀FOX并留下对位标记)→NSD(与Pwell对位)→VT（与Pwell对位）→Poly(与Pwell对位)→CNT。

该方法包括：

提供衬底，并在所述衬底上制作外延层；

在终端区的外延层上侧制作出Ring结；

对有源区内的外延层进行JFET注入操作和JFET推阱操作，以降低有源区内寄生JFET区电阻；

在所述外延层的上侧长场氧层；

采用干法刻蚀工艺在所述场氧层上刻蚀形成用以制作体区的第一注入口，并保留刻蚀操作留下的对位标记；

在所述第一注入口内的外延层上侧生长掩蔽层，通过所述第一注入口对外延层进行体区注入操作和体区推阱操作，以在有源区的外延层内制作形成体区；

在所述掩蔽层和场氧层的上侧涂抹一层光刻胶，以刻蚀形成所述第一注入口时保留的对位标记进行对位，并对所述光刻胶进行曝光，以在所述光刻胶上光刻形成用以制作源区的第二注入口；

通过所述第二注入口对体区进行源区注入操作和源区推阱操作，以在所述体区内制作形成源区；

将有源区内残留的场氧层刻蚀掉，并在所述外延层的上侧生长氧化层，然后进行VT注入操作，以在所述体区内制作形成反型沟道层；

在所述外延层的上侧长栅氧化层，并在所述栅氧化层和场氧层的上侧沉积多晶硅，对所述多晶硅掺杂，然后进行刻蚀操作，以制作形成多晶栅和终端多晶场板结构；

淀积介质层，并在所述介质层和外延层上刻蚀出连接孔；

在所述介质层的上侧及连接孔内淀积金属层，并将所述金属层刻蚀形成源极金属和栅极金属。

进一步的，所述第一注入口四周的仰角为80°至90°。

进一步的，所述衬底为N型衬底。

进一步的，所述Ring结的制作步骤如下：

在所述外延层上长氧化层；

在所述氧化层上刻蚀出Ring注入窗口；