[发明专利]电子装置有效
| 申请号： | 202111365337.9 | 申请日： | 2020-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN114023819B | 公开（公告）日： | 2023-07-04 |
| 发明（设计）人： | 张安邦 | 申请（专利权）人： | 英诺赛科（珠海）科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/335;H01L23/29;H01L23/31;H01L21/56 |
| 代理公司： | 北京博思佳知识产权代理有限公司 11415 | 代理人： | 林祥 |
| 地址： | 519085 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 电子装置包括第一氮化物半导体层、第二氮化物半导体层、源极电极、漏极电极、栅极电极、表面状态补偿层以及介电层。第二氮化物半导体层安置在第一氮化物半导体层上，且具有的带隙比第一氮化物半导体层的带隙更大。源极电极、漏极电极以及栅极电极安置在所述第二氮化物半导体层上。表面状态补偿层直接安置在所述第二氮化物半导体层上。介电层安置在表面状态补偿层上，并与表面状态补偿层接触，其中介电层与表面状态补偿层相比，介电层具有较低的介电常数。 | ||
| 搜索关键词： | 电子 装置 | ||
【主权项】：
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