[发明专利]电子装置

说明书

电子装置包括第一氮化物半导体层、第二氮化物半导体层、源极电极、漏极电极、栅极电极、表面状态补偿层以及介电层。第二氮化物半导体层安置在第一氮化物半导体层上，且具有的带隙比第一氮化物半导体层的带隙更大。源极电极、漏极电极以及栅极电极安置在所述第二氮化物半导体层上。表面状态补偿层直接安置在所述第二氮化物半导体层上。介电层安置在表面状态补偿层上，并与表面状态补偿层接触，其中介电层与表面状态补偿层相比，介电层具有较低的介电常数。

本申请是2020年7月8日提交的题为“电子装置和其制造方法”的中国专利申请202080003294.7的分案申请。

技术领域

本公开涉及半导体装置，且特定来说，涉及包含高电子迁移率晶体管(HEMT)的半导体装置。

背景技术

包含直接带隙的半导体组件，举例来说，包含III-V族材料或III-V族化合物的半导体组件可由于其特性而在各种条件或环境(例如，不同电压或频率)下操作或工作。

前述半导体组件可包含HEMT、异质结双极晶体管(HBT)、异质结场效应晶体管(HFET)或调制掺杂场效应晶体管(MODFET)。

发明内容

本公开的一些实施例提供一种电子装置。所述电子装置包括第一氮化物半导体层、第二氮化物半导体层、源极电极、漏极电极、栅极电极、表面状态补偿层以及介电层。第二氮化物半导体层安置在第一氮化物半导体层上，且具有的带隙比第一氮化物半导体层的带隙更大。源极电极、漏极电极以及栅极电极安置在所述第二氮化物半导体层上。表面状态补偿层直接安置在所述第二氮化物半导体层上。介电层安置在表面状态补偿层上，并与表面状态补偿层接触，其中介电层与表面状态补偿层相比，介电层具有较低的介电常数。

本公开的一些实施例提供一种电子装置。所述电子装置包括沟道层、势垒层、多层钝化层以及晶体管。势垒层安置在沟道层上，且具有的带隙比沟道层的带隙更大，从而在邻近于沟道层与势垒层之间的界面处形成二维电子气体。多层钝化层安置在势垒层上，并接触势垒层，其用以减小势垒层的表面状态密度。晶体管安置在势垒层上,并利用二维电子气体作为载流子沟道，其中晶体管包括栅极电极，栅极电极包括相连接的上部部分以及下部部分，上部部分在多层钝化层的最上层表面横向延伸，下部部分在多层钝化层中纵向延伸。

附图说明

根据参考附图进行的以下详细描述，本公开的各方面将变得更可理解。应注意，各个特征可以不按比例绘制。实际上，为了论述清楚起见，可任意地增大或减小各种特征的尺寸。

图1A说明根据本公开的一些实施例的电子装置的横截面图。

图1B说明根据本公开的一些实施例的电子装置的电容。

图2说明根据本公开的一些实施例的电子装置的横截面图。

图3说明根据本公开的一些比较实施例的电子装置的横截面图。

图4A说明根据本公开的一些实施例的用于制造电子装置的方法的步骤。

图4B说明根据本公开的一些实施例的用于制造电子装置的方法的步骤。

图4C说明根据本公开的一些实施例的用于制造电子装置的方法的步骤。

图4D说明根据本公开的一些实施例的用于制造电子装置的方法的步骤。

图4E说明根据本公开的一些实施例的用于制造电子装置的方法的步骤。

具体实施方式