[发明专利]电子装置

权利要求书

1.一种电子装置，其特征在于，包括：

第一氮化物半导体层；

第二氮化物半导体层，其安置在所述第一氮化物半导体层上，且具有的带隙比所述第一氮化物半导体层的带隙更大；

源极电极、漏极电极以及栅极电极，其安置在所述第二氮化物半导体层上；

表面状态补偿层，其直接安置在所述第二氮化物半导体层上；以及

介电层，其安置在所述表面状态补偿层上，并与所述表面状态补偿层接触，其中所述介电层与所述表面状态补偿层相比，所述介电层具有较低的介电常数。

2.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，其中所述表面状态补偿层与所述介电层的接触面的位置比所述栅极电极的顶面还低。

3.根据权利要求2所述的电子装置，其特征在于，其中所述表面状态补偿层抵靠在所述源极电极、所述漏极电极以及所述栅极电极各自的侧壁上。

4.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，其中所述表面状态补偿层与所述介电层的接触面的位置比所述栅极电极的底面还低。

5.根据权利要求4所述的电子装置，其特征在于，其中所述表面状态补偿层与所述介电层的接触面的位置比所述源极电极及所述漏极电极各自的底面还高。

6.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，其中所述介电层的顶面的位置比所述栅极电极的顶面还低。

7.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，其中所述第二氮化物半导体层与所述栅极电极通过所述表面状态补偿层而与彼此分隔，且所述介电层抵靠在所述栅极电极的侧壁上。

8.一种电子装置，其特征在于，包括：

沟道层；

势垒层，其安置在所述沟道层上，且具有的带隙比所述沟道层的带隙更大，从而在邻近于所述沟道层与所述势垒层之间的界面处形成二维电子气体；

多层钝化层，安置在所述势垒层上，并接触所述势垒层，其用以减小所述势垒层的表面状态密度；以及

晶体管，安置在所述势垒层上,并利用所述二维电子气体作为载流子沟道，其中所述晶体管包括栅极电极，所述栅极电极包括相连接的上部部分以及下部部分，所述上部部分在所述多层钝化层的最上层表面横向延伸，所述下部部分在所述多层钝化层中纵向延伸。

9.根据权利要求8所述的电子装置，其特征在于，其中所述栅极电极为T形栅极电极。

10.根据权利要求8所述的电子装置，其特征在于，其中所述栅极电极的所述下部部分贯穿所述多层钝化层并与势垒层接触。

11.根据权利要求10所述的电子装置，其特征在于，其中所述栅极电极的所述下部部分穿过所述多层钝化层中的低k介电层。

12.根据权利要求11所述的电子装置，其特征在于，其中所述栅极电极的所述下部部分穿过所述多层钝化层中的表面状态补偿层。

13.根据权利要求8所述的电子装置，其特征在于，其中所述栅极电极的所述上部部分在所述多层钝化层中的低k介电层的上表面横向延伸。

14.根据权利要求8所述的电子装置，其特征在于，其中所述栅极电极的所述上部部分相对所述势垒层的最大高度大于所述多层钝化层相对所述势垒层的最大高度。

15.根据权利要求8所述的电子装置，其特征在于，其中所述栅极电极的所述上部部分的宽度大于所述栅极电极的所述下部部分的宽度。

16.根据权利要求8所述的电子装置，其特征在于，其中所述晶体管还包括：

源极电极以及漏极电极，其穿过所述多层钝化层并与势垒层接触。