[发明专利]半导体器件及其制造方法

摘要

本发明提供了一种半导体器件及其制造方法，所述半导体器件的制造方法包括：提供一形成有浅沟槽隔离结构的衬底，浅沟槽隔离结构的顶面高于衬底的顶面，相邻两个浅沟槽隔离结构之间的衬底上形成有浮栅层，浮栅层的顶面高于浅沟槽隔离结构的顶面；形成至少一个沟槽于浅沟槽隔离结构中；形成栅间介质层于浮栅层和浅沟槽隔离结构上，栅间介质层覆盖至少一个沟槽，栅间介质层的相对介电常数大于浅沟槽隔离结构的相对介电常数；形成控制栅层于栅间介质层上。本发明的技术方案使得在技术节点变小时，能够确保存储区具有较高的耦合系数的同时，还能够避免半导体器件击穿以及避免相邻两个浮栅层之间产生信号干扰。