[发明专利]LDMOS器件及其制作方法在审
| 申请号： | 202111364753.7 | 申请日： | 2021-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN116137292A | 公开（公告）日： | 2023-05-19 |
| 发明（设计）人： | 金华俊;袁玫 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/06 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 田婷 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种LDMOS器件。所述LDMOS器件中，半导体基底内设置有漂移区、体区、位于体区顶部的源极区和位于漂移区顶部的漏极区，漂移区与源极区及漏极区具有第一掺杂类型，体区具有第二掺杂类型，栅极结构位于体区上，栅极结构的一侧延伸至源极区上，另一侧延伸至漂移区上，隔离结构嵌设于栅极结构与漏极区之间的漂移区内中，并延伸至栅极结构的下方，具有第一掺杂类型的第一加浓区位于漂移区内且沿隔离结构的侧壁和底壁分布，第一加浓区的掺杂浓度大于漂移区的掺杂浓度。第一加浓区设置于LDMOS器件电流流经的路径上，有助于在不影响器件击穿电压的情况下，降低LDMOS器件的导通电阻。本发明还提供一种LDMOS器件的制作方法。 | ||
| 搜索关键词： | ldmos 器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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