[发明专利]LDMOS器件及其制作方法

权利要求书

1.一种LDMOS器件，其特征在于，包括：

半导体基底；

漂移区和体区，设置于所述半导体基底内；

源极区，位于所述体区内的顶部；

漏极区，位于所述漂移区内的顶部；

所述漂移区、所述源极区及所述漏极区具有第一掺杂类型，所述体区具有第二掺杂类型；

栅极结构，位于所述体区上，且所述栅极结构的一侧延伸至所述源极区上，另一侧延伸至所述漂移区上；

隔离结构，嵌设于所述栅极结构与所述漏极区之间的所述漂移区内，并延伸至所述栅极结构的下方；以及

第一加浓区，位于所述漂移区内且沿所述隔离结构的侧壁和底壁分布，具有第一掺杂类型且掺杂浓度大于所述漂移区的掺杂浓度。

2.如权利要求1所述的LDMOS器件，其特征在于，还包括：

第二加浓区，具有第一掺杂类型且掺杂浓度大于所述漂移区的掺杂浓度；

所述第二加浓区设置在所述隔离结构与所述源极区之间的漂移区内的顶部，和/或，所述第二加浓区设置在所述隔离结构与所述漏极区之间的漂移区内的顶部。

3.如权利要求2所述的LDMOS器件，其特征在于，

所述漏极区与所述第一加浓区或所述第二加浓区相邻接触设置。

4.如权利要求1所述的LDMOS器件，其特征在于，还包括：

所述半导体基底具有第二掺杂类型，所述半导体基底还设有具有第二掺杂类型的衬底加浓区，位于所述漂移区下方的所述半导体基底内，所述衬底加浓区的掺杂浓度大于所述半导体基底的掺杂浓度。

5.如权利要求1所述的LDMOS器件，其特征在于，所述第一加浓区的宽度方向垂直于所述隔离结构的侧壁或底壁，所述第一加浓区的宽度尺寸范围为0.3微米～0.8微米。

6.一种LDMOS器件的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：

提供半导体基底，在所述半导体基底内形成有隔离沟槽，沿所述隔离沟槽的侧壁和底壁形成具有第一掺杂类型的第一加浓区；

在所述隔离沟槽中填充隔离介质，形成所述隔离结构；

于所述半导体基底内形成具有第二掺杂类型的体区；

于所述半导体基底内形成具有第一掺杂类型的漂移区，所述漂移区的掺杂浓度小于所述第一加浓区的掺杂浓度，所述隔离结构和所述第一加浓区均嵌设于所述漂移区内；

于所述半导体基底上形成栅极结构，于所述体区内形成具有第一掺杂类型的源极区，于所述漂移区内的顶部形成具有第一掺杂类型的漏极区。

7.如权利要求6所述的制作方法，其特征在于，所述提供半导体基底，在所述半导体基底内形成有隔离沟槽，沿所述隔离沟槽的侧壁和底壁形成具有第一掺杂类型的第一加浓区，包括：

在所述半导体基底上形成图形化的硬掩模层；

以所述图形化的硬掩模层为掩模，刻蚀所述半导体基底，以在所述半导体基底内形成所述隔离沟槽；

以所述图形化的硬掩模层为掩模，执行掺杂处理，沿所述隔离沟槽的侧壁和底壁形成具有第一掺杂类型的所述第一加浓区。

8.如权利要求7所述的制作方法，其特征在于，所述沿所述隔离沟槽的侧壁和底壁形成具有第一掺杂类型的第一加浓区，包括：

形成所述第一加浓区后，刻蚀所述硬掩模层，露出所述隔离沟槽的槽口边缘的半导体基底；

在所述隔离沟槽的槽口边缘的半导体基底内的顶部形成具有第一掺杂类型的第二加浓区，所述第二加浓区的掺杂浓度大于所述漂移区的掺杂浓度；

所述于所述体区内形成具有第一掺杂类型的源极区，于所述漂移区内的顶部形成具有第一掺杂类型的漏极区，还包括：所述第二加浓区最终形成于所述隔离结构与所述源极区之间的漂移区内的顶部，和/或，所述第二加浓区最终形成于所述隔离结构与所述漏极区之间的漂移区内的顶部。