[发明专利]提高外延生长晶圆对位通过率的方法在审
| 申请号： | 202111344883.4 | 申请日： | 2021-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN114121702A | 公开（公告）日： | 2022-03-01 |
| 发明（设计）人： | 董俊;张顾斌;王雷 | 申请（专利权）人： | 华虹半导体（无锡）有限公司;上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L21/67;H01L21/68 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 刘昌荣 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种提高外延生长晶圆对位通过率的方法，其包括以下步骤：步骤一，获取原始版图；步骤二，光刻进行精准对位需要在原始版图中放置光刻对位标记；步骤三，将光刻对位标记通过刻蚀的方法留在晶圆上；步骤四，将刻有光刻对位标记的晶圆进行外延生长，生成外延生长图形，光刻对位标记会由于外延过程特有的延晶向生长的特点，会发生漂移的图形以及变形的图形，通过利用视觉成像镜头可调整焦距的特点以及外延生长图形的固定生长方向、漂移方向特点，过滤掉外延生长后光刻对位标记形成的杂波以及干扰图形，获取到光刻对位标记在外延生长前较为棱角分明的对位标记信号。本发明可以过滤掉外延生长后光刻对位标记形成的杂波以及干扰图形。 | ||
| 搜索关键词： | 提高 外延 生长 对位 通过 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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