[发明专利]提高外延生长晶圆对位通过率的方法

权利要求书

1.一种提高外延生长晶圆对位通过率的方法，其特征在于，其包括以下步骤：

步骤一，获取原始版图；

步骤二，光刻进行精准对位需要在原始版图中放置光刻对位标记；

步骤三，将光刻对位标记通过刻蚀的方法留在晶圆上；

步骤四，将刻有光刻对位标记的晶圆进行外延生长，生成外延生长图形，光刻对位标记会由于外延过程特有的延晶向生长的特点，会发生漂移的图形以及变形的图形，通过利用视觉成像镜头可调整焦距的特点以及外延生长图形的固定生长方向、漂移方向特点，调整视觉成像的焦距，将成像图形由清晰的图形变为模糊的图形，过滤掉外延生长后光刻对位标记形成的杂波以及干扰图形，获取到光刻对位标记在外延生长前较为棱角分明的对位标记信号。

2.如权利要求1所述的提高外延生长晶圆对位通过率的方法，其特征在于，所述步骤一中的原始版图通过版图设计软件获得。

3.如权利要求1所述的提高外延生长晶圆对位通过率的方法，其特征在于，所述光刻对位标记至少包括粗准对位标记和精准对位标记各一组。

4.如权利要求1所述的提高外延生长晶圆对位通过率的方法，其特征在于，所述步骤二中采用光刻机对位镜头放置光刻对位标记。

5.如权利要求1所述的提高外延生长晶圆对位通过率的方法，其特征在于，所述步骤四的晶圆是在外延炉中进行外延生长。

6.如权利要求5所述的提高外延生长晶圆对位通过率的方法，其特征在于，所述外延炉采用高频感应加热方式。

7.如权利要求1所述的提高外延生长晶圆对位通过率的方法，其特征在于，所述步骤四的晶圆是采用气相外延工艺外延生长。