[发明专利]一种定位双面纳米压印的方法在审
| 申请号： | 202111338905.6 | 申请日： | 2021-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN114114831A | 公开（公告）日： | 2022-03-01 |
| 发明（设计）人： | 谢一;罗万里;龙高云;尹浩洋;朱远超;毛一丁 | 申请（专利权）人： | 中丰田光电科技（珠海）有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/00 | 分类号： | G03F7/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 卢泽明;侯丽燕 |
| 地址： | 519000 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种定位双面纳米压印的方法，包括步骤：S1，上微纳结构母版或下微纳结构母版作为双面对齐参考依据，预先进行溅射镀透明反射层；S2，对上微纳结构母版、下微纳结构母版、上微纳结构母版上的上掩膜版、下微纳结构母版的下掩膜版及上微纳结构母版与下微纳结构母版之间的基材均进行靶标定位并预制定位销孔；S3，使用定位销进行多层结构定位；S4，分别在各层之间施固化胶并胶辊压平后固化。本发明在复制微结构时可以实现双面精准对齐并同步纳米压印，尤其是在光学领域需要在基材两面均制备纳米微结构时可以满足需求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 定位 双面 纳米 压印 方法 | ||
【主权项】：
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