[发明专利]一种定位双面纳米压印的方法在审
申请号: | 202111338905.6 | 申请日: | 2021-11-12 |
公开(公告)号: | CN114114831A | 公开(公告)日: | 2022-03-01 |
发明(设计)人: | 谢一;罗万里;龙高云;尹浩洋;朱远超;毛一丁 | 申请(专利权)人: | 中丰田光电科技(珠海)有限公司 |
主分类号: | G03F7/00 | 分类号: | G03F7/00;B82Y40/00 |
代理公司: | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人: | 卢泽明;侯丽燕 |
地址: | 519000 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 定位 双面 纳米 压印 方法 | ||
本发明涉及一种定位双面纳米压印的方法,包括步骤:S1,上微纳结构母版或下微纳结构母版作为双面对齐参考依据,预先进行溅射镀透明反射层;S2,对上微纳结构母版、下微纳结构母版、上微纳结构母版上的上掩膜版、下微纳结构母版的下掩膜版及上微纳结构母版与下微纳结构母版之间的基材均进行靶标定位并预制定位销孔;S3,使用定位销进行多层结构定位;S4,分别在各层之间施固化胶并胶辊压平后固化。本发明在复制微结构时可以实现双面精准对齐并同步纳米压印,尤其是在光学领域需要在基材两面均制备纳米微结构时可以满足需求。
技术领域
本发明涉及纳米压印技术领域,具体涉及一种定位双面纳米压印的方法。
背景技术
纳米压印技术是一种新型的微纳加工技术,该技术通过机械转移的手段,进行微结构转移复制,目前的纳米压印技术可以实现超高分辨率的微纳结构复制,但是,确在进行复制微结构时,现有的纳米压印方法及设备无法做到双面精准对齐并同步纳米压印。
发明内容
为了克服现有技术的不足,本发明的目的提供了一种定位双面纳米压印的方法,实现双面精准对齐同步纳米压印。
为解决上述问题,本发明所采用的技术方案如下:
一种定位双面纳米压印的方法,其特征在于,包括步骤:
S1,上微纳结构母版或下微纳结构母版作为双面对齐参考依据,预先进行
溅射镀透明反射层;
S2,对上微纳结构母版、下微纳结构母版、上微纳结构母版上方的上掩膜版、下微纳结构母版下方的下掩膜版及上微纳结构母版与下微纳结构母版之间的基片均进行靶标定位并预制定位销孔;
S3,使用定位销进行多层结构定位;
S4,分别在基材的上表面与上微纳结构母版之间、基材的下表面与下微纳结构母版之间施固化胶并胶辊压平后固化。
进一步地,步骤S1中,以上微纳结构母版或下微纳结构母版作为双面对齐参考依据进行操作时,需要将所述上微纳结构母版或下微纳结构母版设置在载物板或载物台上。
进一步地,所述载物板采用光学玻璃。
进一步地,在进行步骤S3,使用定位销进行多层结构定位之前,还需要对各层结构进行贴齐检测。
进一步地,进行贴齐检测时采用激光检测。
进一步地,步骤S4中,实施胶辊压平的方法包括使用胶辊合压在载物板或载物台上,通过压力将多余的固化胶挤走。
进一步地,步骤S4中需要对基材的上下层同时同步固化。
进一步地,固化时采用紫外灯上下照射同时同步固化。
相比现有技术,本发明的有益效果在于:在复制微结构时可以实现双面精准对齐并同步纳米压印,尤其是在光学领域需要在基材两面均制备纳米微结构时可以满足需求。
下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细说明。
附图说明
图1为本发明的方法流程图;
图2为本发明方法实施在定位双面纳米压印上的目标结构示意图;
图3为本发明方法实施时的状态图。
具体实施方式
一种定位双面纳米压印的方法,其特征在于,包括步骤:
S1,上微纳结构母版1或下微纳结构母版2作为双面对齐参考依据,预先进行溅射镀透明反射层;
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