[发明专利]晶体管沟道材料在审
| 申请号： | 202111331418.7 | 申请日： | 2021-11-11 |
| 公开（公告）号： | CN114628501A | 公开（公告）日： | 2022-06-14 |
| 发明（设计）人： | A·A·夏尔马;N·萨托;V·H·勒;S·阿塔纳索夫;A·S·古普塔;M·V·梅斯;H·J·允 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L29/10 | 分类号： | H01L29/10;H01L29/12;H01L29/78;H01L29/786 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 舒雄文 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本文公开的是晶体管沟道材料以及相关方法和设备。例如，在一些实施例中，晶体管可以包括沟道材料，该沟道材料包括具有第一导电类型的半导体材料，并且沟道材料还可以包括掺杂剂，该掺杂剂包括：(1)绝缘材料；和/或(2)具有与第一导电类型相反的第二导电类型的材料。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 沟道 材料 | ||
【主权项】：
暂无信息
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