[发明专利]晶体管沟道材料

说明书

本文公开的是晶体管沟道材料以及相关方法和设备。例如，在一些实施例中，晶体管可以包括沟道材料，该沟道材料包括具有第一导电类型的半导体材料，并且沟道材料还可以包括掺杂剂，该掺杂剂包括：(1)绝缘材料；和/或(2)具有与第一导电类型相反的第二导电类型的材料。

背景技术

薄膜晶体管可以包括在栅极电极与半导体沟道之间的栅极氧化物。栅极氧化物可以是例如高k电介质材料。

附图说明

通过以下结合附图的详细描述将容易地理解实施例。为了方便此描述，相同的参考数字表示相同的结构元件。在附图的图中通过示例而非限制的方式示出了实施例。

图1是根据各种实施例的包括掺杂沟道材料的晶体管栅极-沟道布置的截面侧视图。

图2-6是根据各种实施例的包括掺杂沟道材料的示例单栅极晶体管的截面侧视图。

图7-9是根据各种实施例的包括掺杂沟道材料的示例双栅极晶体管的截面侧视图。

图10A和10B分别是根据各种实施例的包括掺杂沟道材料的示例三栅极晶体管的透视图和截面侧视图。

图11A和11B分别是根据各种实施例的包括掺杂沟道材料的示例全环绕栅晶体管的透视图和截面侧视图。

图12是根据各种实施例的制造包括掺杂沟道材料的集成电路(IC)结构的示例方法的流程图。

图13A和13B是包括根据本文公开的实施例中的任何实施例的一种或多种掺杂沟道材料的晶片和管芯的顶视图。

图14是可以包括根据本文公开的实施例中的任何实施例的一种或多种掺杂沟道材料的IC设备的截面侧视图。

图15是可以包括根据本文公开的实施例中的任何实施例的一种或多种掺杂沟道材料的IC设备组件的截面侧视图。

图16是可以包括根据本文公开的实施例中的任何实施例的一种或多种掺杂沟道材料的示例计算设备的框图。

具体实施方式

本文公开的是晶体管沟道材料、以及相关的方法和设备。例如，在一些实施例中，晶体管可以包括沟道材料，该沟道材料包括具有第一导电类型的半导体材料，并且沟道材料还可以包括掺杂剂，该掺杂剂包括(1)绝缘材料和/或(2)具有与第一导电类型相反的第二导电类型的材料。本文公开的掺杂沟道材料可以降低晶体管在后端处理所需的温度期间对退化的敏感性，并且因此可以实现比使用常规方法可实现的更高质量的后端薄膜晶体管。

在下面的详细描述中，参考了形成其一部分的附图，并且其中通过说明的方式示出了可以实践的实施例。应当理解，可以利用其他实施例并且可以进行结构或逻辑改变，而不脱离本公开的范围。因此，不应在限制意义上来理解以下详细描述。

可以以最有助于理解要求保护的主题的方式将各种操作依次描述为多个分立动作或操作。然而，描述的顺序不应被解释为暗示这些操作必然依赖于顺序。特别地，可以不按照呈现的顺序来执行这些操作。可以以与所描述的实施例不同的顺序来执行所描述的操作。可以执行各种附加操作，和/或在附加实施例中可以省略所描述的操作。

出于本公开的目的，短语“A和/或B”是指(A)、(B)或(A和B)。出于本公开的目的，短语“A、B和/或C”是指(A)、(B)、(C)、(A和B)、(A和C)、(B和C)，或(A、B和C)。术语“在……之间”，当用于测量范围时，包括测量范围的末端。