[发明专利]晶体管沟道材料在审
申请号: | 202111331418.7 | 申请日: | 2021-11-11 |
公开(公告)号: | CN114628501A | 公开(公告)日: | 2022-06-14 |
发明(设计)人: | A·A·夏尔马;N·萨托;V·H·勒;S·阿塔纳索夫;A·S·古普塔;M·V·梅斯;H·J·允 | 申请(专利权)人: | 英特尔公司 |
主分类号: | H01L29/10 | 分类号: | H01L29/10;H01L29/12;H01L29/78;H01L29/786 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 舒雄文 |
地址: | 美国加*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 晶体管 沟道 材料 | ||
1.一种晶体管,包括:
栅极电极材料;
栅极电介质材料;以及
沟道材料,其中,所述栅极电介质材料在所述沟道材料与所述栅极电极材料之间,所述沟道材料包括具有第一导电类型的半导体材料,并且所述沟道材料还包括掺杂剂,所述掺杂剂包括:(1)绝缘材料;或(2)具有与所述第一导电类型相反的第二导电类型的材料。
2.如权利要求1所述的晶体管,其中,所述掺杂剂包括绝缘材料。
3.如权利要求2所述的晶体管,其中,所述绝缘材料包括:铝和氧;铪和氧;钛和氧;铝和氮;硅和氮;硅和氧;硅、碳、氧和氢;钽和氧;钇和氧;镓和氧;锆和氧;铪、锆和氧;钇、锆和氧;镁和氧;或碳。
4.如权利要求1-3中的任一项所述的晶体管,其中,所述掺杂剂包括:铜和氧;锡和氧;铌和氧;镍和氧;或钴和氧。
5.如权利要求1-3中的任一项所述的晶体管,其中,所述沟道材料包括掺杂剂,所述掺杂剂包括具有与所述第一导电类型相反的第二导电类型的材料。
6.如权利要求1-3中的任一项所述的晶体管,其中,所述掺杂剂是第一掺杂剂,所述第一掺杂剂包括绝缘材料,所述沟道材料包括第二掺杂剂,并且所述第二掺杂剂具有与所述第一导电类型相反的第二导电类型。
7.如权利要求1-3中的任一项所述的晶体管,其中,所述半导体材料包括IV族半导体或III-V族半导体。
8.如权利要求1-3中的任一项所述的晶体管,其中,所述半导体材料包括氧化物半导体。
9.一种晶体管,包括:
栅极电极材料;
栅极电介质材料;以及
沟道材料,其中,所述栅极电介质材料在所述沟道材料与所述栅极电极材料之间,所述沟道材料包括具有第一导电类型的氧化物半导体,并且所述沟道材料还包括掺杂剂,所述掺杂剂包括:(1)绝缘材料;或(2)具有与所述第一导电类型相反的第二导电类型的材料。
10.如权利要求9所述的晶体管,其中,所述掺杂剂包括绝缘材料。
11.如权利要求9所述的晶体管,其中,所述氧化物半导体包括:铟、镓、锌和氧;铟、锡和氧;铟和氧;或锌和氧。
12.如权利要求9所述的晶体管,其中,所述掺杂剂是第一掺杂剂,所述第一掺杂剂包括绝缘材料,所述沟道材料包括第二掺杂剂,并且所述第二掺杂剂具有与所述第一导电类型相反的第二导电类型。
13.如权利要求9-12中的任一项所述的晶体管,其中,所述氧化物半导体中的所述掺杂剂的量的原子百分比小于10。
14.如权利要求9-12中的任一项所述的晶体管,其中,所述沟道材料是第一沟道材料区,所述晶体管包括第二沟道材料区,并且所述第二沟道材料区包括所述氧化物半导体。
15.如权利要求14所述的晶体管,其中,所述第二沟道材料区不包括所述掺杂剂。
16.如权利要求14所述的晶体管,其中,所述第一沟道材料区在所述第二沟道材料区与电介质材料之间。
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