[发明专利]磁控溅射镀膜腔室、镀膜机以及镀膜方法有效
| 申请号： | 202111316908.X | 申请日： | 2021-11-09 |
| 公开（公告）号： | CN113774351B | 公开（公告）日： | 2022-03-18 |
| 发明（设计）人： | 谭志 | 申请（专利权）人： | 武汉中维创发工业研究院有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35 |
| 代理公司： | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 秦冉冉 |
| 地址： | 430000 湖北省武汉市东湖新技术开发区关山大*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种磁控溅射镀膜腔室、镀膜机以及镀膜方法。该磁控溅射镀膜腔室包括镀膜罩，样品台以及多个由外到内分布的磁控管组。其中，各磁控管组中具有偶数个磁控管且第1磁控管组的磁控管组中磁控管的数量≥4，第2磁控管组的磁控管组中磁控管的数量≥2，磁控管包括内磁体和位于内磁体两侧的两个外磁体，内磁体的极性与外磁体的极性相反。第1磁控管组中相邻的两个磁控管的外磁体的极性相反，所述第2磁控管组中相邻的两个磁控管的外磁体的极性相同。此时第2磁控管组中磁控管的磁力线会向外围延伸，同时被第1磁控管组中磁控管的磁力线束缚，这样可以有效提高等离子体的溅射纵深，进而提高大尺寸基材表面镀层厚度的均匀性。 | ||
| 搜索关键词： | 磁控溅射 镀膜 以及 方法 | ||
【主权项】：
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