[发明专利]磁控溅射镀膜腔室、镀膜机以及镀膜方法有效
| 申请号: | 202111316908.X | 申请日: | 2021-11-09 |
| 公开(公告)号: | CN113774351B | 公开(公告)日: | 2022-03-18 |
| 发明(设计)人: | 谭志 | 申请(专利权)人: | 武汉中维创发工业研究院有限公司 |
| 主分类号: | C23C14/35 | 分类号: | C23C14/35 |
| 代理公司: | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 秦冉冉 |
| 地址: | 430000 湖北省武汉市东湖新技术开发区关山大*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 磁控溅射 镀膜 以及 方法 | ||
本发明涉及一种磁控溅射镀膜腔室、镀膜机以及镀膜方法。该磁控溅射镀膜腔室包括镀膜罩,样品台以及多个由外到内分布的磁控管组。其中,各磁控管组中具有偶数个磁控管且第1磁控管组的磁控管组中磁控管的数量≥4,第2磁控管组的磁控管组中磁控管的数量≥2,磁控管包括内磁体和位于内磁体两侧的两个外磁体,内磁体的极性与外磁体的极性相反。第1磁控管组中相邻的两个磁控管的外磁体的极性相反,所述第2磁控管组中相邻的两个磁控管的外磁体的极性相同。此时第2磁控管组中磁控管的磁力线会向外围延伸,同时被第1磁控管组中磁控管的磁力线束缚,这样可以有效提高等离子体的溅射纵深,进而提高大尺寸基材表面镀层厚度的均匀性。
技术领域
本发明涉及镀膜技术领域,尤其是涉及一种磁控溅射镀膜腔室、镀膜机以及镀膜方法。
背景技术
作为一种镀膜方式,磁控溅射因具有镀层附着力强、易于控制等优点而被广泛应用。其镀膜原理主要是通过溅射离子将靶材表面的物质撞出,并使被撞出的物质在待镀膜基材上沉积,进而在待镀膜基材表面形成镀层。
在传统的磁控溅射镀膜中,对于较小尺寸的基材,能够获得性能较好的镀层。但是,随着产品更新换代速度的不断提高,小尺寸的基材逐渐难以满足消费者日益增长的消费需求。然而,当采用传统的磁控溅射方式对大尺寸基材进行镀膜时,在基材表面形成的镀层在厚度表现上往往均匀性较差。
发明内容
基于此,有必要提供一种能够有效提高大尺寸基材镀层厚度均匀性的磁控溅射腔室、包括该磁控溅射镀膜腔室的镀膜机以及采用该镀膜机的镀膜方法。
为解决以上技术问题,本发明的技术方案为:
一种磁控溅射镀膜腔室,包括镀膜罩,样品台以及多个磁控管组;所述样品台和多个所述磁控管组均位于所述镀膜罩的内部,所述样品台设于相邻的两个磁控管组之间;
在由外到内的方向上,多个磁控管组分为第1磁控管组、第2磁控管组……第m磁控管组,m为≥2的整数;
其中,第1磁控管组具有a1个磁控管,……第2p+1磁控管组具有ax个磁控管,p为≥0的整数,x为≥1的整数,a1、……ax为偶数,a1≥4;
第2磁控管组具有b1个磁控管,……第2q磁控管组具有by个磁控管,q为≥1的整数,y为≥1的整数,b1、……by为偶数,b1≥2;
所述第1磁控管组中的磁控管围绕所述镀膜罩的中心分布,所述第2磁控管组中的磁控管围绕所述镀膜罩的中心分布;所述磁控管包括内磁体和位于所述内磁体两侧的两个外磁体,所述内磁体的极性与所述外磁体的极性相反;所述第1磁控管组中相邻的两个磁控管的外磁体的极性相反,所述第2磁控管组中相邻的两个磁控管的外磁体的极性相同。
在其中一个实施例中,m为≥2的偶数。
在其中一个实施例中,ax≥4;和/或,by≥4。
在其中一个实施例中,第2p+1磁控管组中磁控管的外磁体的磁场强度大于或等于其内磁体的磁场强度;和/或,
第2q磁控管组中磁控管的外磁体的磁场强度大于其内磁体的磁场强度。
在其中一个实施例中,第2p+1磁控管组中相邻的两个磁控管的外磁体的极性均相反;和/或,
第2q磁控管组中相邻的两个磁控管的外磁体的极性均相同。
在其中一个实施例中,各磁控管组中的磁控管围绕所述镀膜罩的中心分布。
在其中一个实施例中,各所述磁控管组中的磁控管的数量相等。
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