[发明专利]磁控溅射镀膜腔室、镀膜机以及镀膜方法有效
| 申请号： | 202111316908.X | 申请日： | 2021-11-09 |
| 公开（公告）号： | CN113774351B | 公开（公告）日： | 2022-03-18 |
| 发明（设计）人： | 谭志 | 申请（专利权）人： | 武汉中维创发工业研究院有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35 |
| 代理公司： | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 秦冉冉 |
| 地址： | 430000 湖北省武汉市东湖新技术开发区关山大*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 磁控溅射 镀膜 以及 方法 | ||
1.一种磁控溅射镀膜腔室，其特征在于，包括镀膜罩，样品台以及多个磁控管组；所述样品台和多个所述磁控管组均位于所述镀膜罩的内部，所述样品台设于相邻的两个磁控管组之间；
在由外到内的方向上，多个磁控管组分为第1磁控管组、第2磁控管组；其中，第1磁控管组具有a1个磁控管，a1为偶数，a1≥4；第2磁控管组具有b1个磁控管，b1偶数，b1≥2；
所述第1磁控管组中的磁控管围绕所述镀膜罩的中心分布，所述第2磁控管组中的磁控管围绕所述镀膜罩的中心分布；所述磁控管包括内磁体和位于所述内磁体两侧的两个外磁体，所述内磁体的极性与所述外磁体的极性相反；所述第1磁控管组中相邻的两个磁控管的外磁体的极性相反，所述第2磁控管组中相邻的两个磁控管的外磁体的极性相同。
2.如权利要求1所述的磁控溅射镀膜腔室，其特征在于，第1磁控管组中磁控管的外磁体的磁场强度大于或等于其内磁体的磁场强度。
3.如权利要求1所述的磁控溅射镀膜腔室，其特征在于，第2磁控管组中磁控管的外磁体的磁场强度大于其内磁体的磁场强度。
4.如权利要求1所述的磁控溅射镀膜腔室，其特征在于，第1磁控管组中有6个磁控管。
5.如权利要求1所述的磁控溅射镀膜腔室，其特征在于，第2磁控管组中有6个磁控管。
6.如权利要求1~5中任一项所述的磁控溅射镀膜腔室，其特征在于，各所述磁控管组中的磁控管的数量相等。
7.如权利要求6所述的磁控溅射镀膜腔室，其特征在于，各磁控管组中的磁控管一一平行对应。
8.如权利要求1所述的磁控溅射镀膜腔室，其特征在于，在由外到内的方向上，各磁控管组中的磁控管数量逐渐减少。
9.一种镀膜机，其特征在于，包括多个靶材以及如权利要求1~8中任一项所述的磁控溅射镀膜腔室，所述靶材与所述磁控管一一对应。
10.一种镀膜方法，其特征在于，采用如权利要求9所述的镀膜机，所述镀膜方法包括如下步骤：
将待镀膜基材放置在所述样品台上；
在所述镀膜罩内形成背底真空；
在所述镀膜罩内通入可产生辉光放电的气体；
对所述靶材施加镀膜功率，对所述待镀膜基材施加镀膜偏压。
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