[发明专利]用于处理具有多晶磨光的半导体晶片的方法在审
| 申请号： | 202111316707.X | 申请日： | 2016-05-26 |
| 公开（公告）号： | CN114102269A | 公开（公告）日： | 2022-03-01 |
| 发明（设计）人： | G·D·张;M·S·克鲁克斯;T·M·拉根 | 申请（专利权）人： | 环球晶圆股份有限公司 |
| 主分类号： | B24B1/00 | 分类号： | B24B1/00;B24B29/02;H01L21/67;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 贺月娇;于静 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明涉及用于处理具有多晶磨光的半导体晶片的方法。一种处理半导体晶片的方法包括在半导体晶片上沉积硅层。所述硅层具有基本均匀的厚度。所述硅层被抛光以平滑化所述硅层，以使得所述厚度在抛光后基本均匀。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 处理 具有 多晶 磨光 半导体 晶片 方法 | ||
【主权项】：
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